一种新型量子点体导光板背光模组结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN108775541B

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201810657100.X

    申请日:2018-06-25

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种新型量子点体导光板背光模组结构及其制备方法,包括蓝光LED光源、楔形量子点体导光板和反射片;所述楔形量子点体导光板中分散设置有红色量子点、绿色量子点以及高分子材料,所述楔形量子点体导光板有楔形角的一端靠近蓝光LED光源;所述反射片设置有黄色荧光粉层;所述黄色荧光粉层设置有黄色荧光粉点阵,且在靠近蓝光LED光源处黄色荧光粉点阵直径大且排布紧密,远离蓝光LED光源处黄色荧光粉点阵直径小且排布稀疏。本发明的背光模组在导光板材料成型过程中让量子点均匀分散在内部,使量子点和导光板融为一体,减少了单独的量子点膜片层,具有功能完整、结构简化、工艺简单和降低成本的优势。

    一种量子点导光板及其制作方法

    公开(公告)号:CN108873147B

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201810657386.1

    申请日:2018-06-25

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种量子点导光板及其制作方法,量子点导光板包括导光板、设于导光板出光面上的透镜阵列、设于导光板反射面上的若干量子点导光网点和包覆在量子点导光网点外表面的水氧保护层。本发明利用印刷与光刻工艺实现导光板出光面的透镜阵列,有效提高量子点导光板的亮度及均匀性。本发明使得导光板比传统的液晶背光膜组的光效高、显色优、色域宽、光均匀性更高,同时可以利用现有导光板的生产条件,大大节约了生产成本。

    基于摩擦纳米发电机的多设备通用手势输入系统

    公开(公告)号:CN119883004A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202510373654.7

    申请日:2025-03-27

    Inventor: 孙磊 廖一鹏

    Abstract: 本发明公开了基于摩擦纳米发电机的多设备通用手势输入系统,属于手势识别技术领域,具体包括:柔性手势板本体由可滑动基底与摩擦纳米发电单元矩阵构成,发电单元以柔性导线连接成动态网络,基底为多层叠构,具有抗弯折支撑层、形变传导层与可替换摩擦界面层;磨损检测模块采集发电单元电信号特征,结合相邻单元响应差异,构建局部动态磨损评估模型;驱动调整模块有微型直线电机阵列与形状记忆合金支架,当磨损超阈值,电机驱动手势板多向平移,支架调整板面曲率,切换至低磨损区;控制模块依患者历史及实时生理特征,建立空间磨损图谱,规划位移策略,选择低磨损区为新的操作界面。

    一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件

    公开(公告)号:CN110690328B

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN201910982153.3

    申请日:2019-10-16

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件。包括μLED晶粒,波长下转换发光层,上、下驱动电极,绝缘体,光学微结构以及控制模块,所述上、下驱动电极和所述μLED晶粒无直接的电学接触,所述控制模块分别与所述上、下驱动电极电学连接,为所述上、下驱动电极提供交变驱动信号形成驱动电场,所述驱动电场控制所述μLED晶粒的电子和空穴复合并发出第一光源,经所述波长下转换发光层而转化为第二光源。本发明提出的一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件中的驱动电极与μLED晶粒中p型半导体层和n型半导体层没有电学接触,能避免μLED发光器件中的芯片复杂制作工艺、以及μLED芯片与驱动芯片的键合和巨量转移工艺,有效降低μLED器件制作周期和成本。

    一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件

    公开(公告)号:CN110690328A

    公开(公告)日:2020-01-14

    申请号:CN201910982153.3

    申请日:2019-10-16

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件。包括μLED晶粒,波长下转换发光层,上、下驱动电极,绝缘体,光学微结构以及控制模块,所述上、下驱动电极和所述μLED晶粒无直接的电学接触,所述控制模块分别与所述上、下驱动电极电学连接,为所述上、下驱动电极提供交变驱动信号形成驱动电场,所述驱动电场控制所述μLED晶粒的电子和空穴复合并发出第一光源,经所述波长下转换发光层而转化为第二光源。本发明提出的一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件中的驱动电极与μLED晶粒中p型半导体层和n型半导体层没有电学接触,能避免μLED发光器件中的芯片复杂制作工艺、以及μLED芯片与驱动芯片的键合和巨量转移工艺,有效降低μLED器件制作周期和成本。

    一种无电学接触无巨量转移的全彩化μLED显示器件

    公开(公告)号:CN110676250A

    公开(公告)日:2020-01-10

    申请号:CN201910982161.8

    申请日:2019-10-16

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种无电学接触无巨量转移的全彩化μLED显示器件。包括设置于下透明基板表面的下驱动电极,设置于上透明基板上、下表面的光学微结构和上驱动电极,连接所述上、下透明基板的障壁微结构,设置障壁微结构内的μLED晶粒、波长下转换发光层和绝缘层以及控制模块;障壁微结构沿上驱动电极的方向依次构成红光显示的R单元,绿光显示的G单元及蓝光显示的B单元。本发明上、下驱动电极与μLED晶粒没有电学接触,通过控制模块提供交变驱动信号和电学耦合实现对μLED晶粒点亮,激发波长下转换发光层而实现全彩化显示,可有效地避免全彩μLED器件中三基色μLED芯片复杂制作工艺,及发光芯片与驱动芯片复杂Bonding和巨量转移工艺,缩短μLED显示制作周期,降低制作成本。

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