公开(公告)号：CN114065918B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202111339556.X

申请日：2021-11-12

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈为 ,  邱丽晨

IPC: G06N3/0499 ,  G06N3/084 ,  G01K7/02

Abstract: 本发明涉及一种基于BP曲线反演逆推的高频磁元件绕组实际温升检测方法，包括以下步骤：步骤S1:将测温组件埋置在磁元件内部的测温点位置，在加电达到稳定温升后断电，采集并记录下断电后的温升下降数据；步骤S2:根据预设逆推时间点，获取逆推时间点之后的温升数据，并基于BP神经网络模型进行数据反演逆推得磁元件绕组测温点实际温升。本发明克服热电偶和热敏电阻等金属性温升传感器件在高频磁场下的额外温升影响，实现在高频磁场下磁元件绕组内部热点温升的准确测量。

公开(公告)号：CN114065918A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111339556.X

申请日：2021-11-12

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈为 ,  邱丽晨

IPC: G06N3/04 ,  G06N3/08 ,  G01K7/02

Abstract: 本发明涉及一种基于BP曲线反演逆推的高频磁元件绕组实际温升检测方法，包括以下步骤：步骤S1:将测温组件埋置在磁元件内部的测温点位置，在加电达到稳定温升后断电，采集并记录下断电后的温升下降数据；步骤S2:根据预设逆推时间点，获取逆推时间点之后的温升数据，并基于BP神经网络模型进行数据反演逆推得磁元件绕组测温点实际温升。本发明克服热电偶和热敏电阻等金属性温升传感器件在高频磁场下的额外温升影响，实现在高频磁场下磁元件绕组内部热点温升的准确测量。