公开(公告)号：CN114266213B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202111611037.4

申请日：2021-12-27

Applicant: 福州大学

Inventor： 林苏斌 ,  余兴旺 ,  陈为 ,  张丽萍

IPC: G06F30/36

Abstract: 本发明涉及一种EMI滤波器磁集成结构设计方法，在EMI滤波器的整流桥前、后分别设置差模电感Ldm1和Ldm2，所述差模电感Ldm1和Ldm2集成在一个全解耦磁芯上。该方法有利于在保证噪声抑制效果的前提下，进一步减小滤波器的体积。

公开(公告)号：CN111146873B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202010053609.0

申请日：2020-01-17

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈庆彬 ,  杨丰钢 ,  陈为

IPC: H02J50/12 ,  H02J50/50

Abstract: 本发明涉及一种基于三线圈磁耦合系统的任意恒流补偿网络结构，包括发射线圈电路、中继线圈电路和接收线圈电路；所述发射线圈电路包括依次串联连接形成回路的电压源Uin和发射线圈回路补偿电容CS和发射线圈L1；所述中继线圈电路包括串联连接的中继线圈Lr和中继线圈回路补偿电容Cr；所述接收线圈电路包括并联连接的接收线圈L2，第二补偿电容CP2和负载。本发明中继线圈不工作于谐振状态，系统只有两个谐振环节，较传统的三线圈结构不易出现失谐问题。

公开(公告)号：CN111899976B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202010881693.5

申请日：2020-08-26

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈庆彬 ,  龙旭嘉 ,  陈为

IPC: H01F41/06 ,  H01F41/082 ,  H01F27/30 ,  H01F27/34

Abstract: 本发明提出变压器漏感宽范围控制方法及结构，用于绕组为分层绕制结构的变压器，所述变压器设有一个原边绕组和一个副边绕组；当所述原边绕组高度等于变压器绕组所用磁性元件的绕组窗口高度时，所述副边绕组的高度小于变压器绕组所用磁性元件的绕组窗口高度；当原边绕组高度小于磁性元件的绕组窗口高度时，副边绕组高度也小于或等于磁性元件的绕组窗口高度高度；所述控制结构为在垂直于绕组磁芯中柱的方向上的原边绕组与副边绕组之间的重叠部位，所述变压器漏感量的调节可通过调节重叠部位的长度进行调整；本发明提出的变压器绕组绕制方法由于其漏感可控范围大，很好地解决了漏感设计需求的问题，并且在平面变压器和立式变压器都能适用。

公开(公告)号：CN114200214B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202111509291.3

申请日：2021-12-10

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈为 ,  陈春志 ,  孔毅鹏

IPC: G01R27/26

Abstract: 本发明涉及一种高频电感损耗测量方法，该方法在阻尼振荡法高频电感损耗测量电路的直流预励磁回路寄生电感上并联去磁回路，以通过去磁回路泄放能量，使待测磁件回路获得更理想的振荡，进而提高测量精度。该方法有利于提高高频电感损耗测量的精确度，测量频率高，实现成本低。

公开(公告)号：CN109378190B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN201811529062.6

申请日：2018-12-14

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈为 ,  郑健博 ,  张丽萍

IPC: H01F27/28 ,  H01F27/34

Abstract: 本发明涉及一种适用于高压大功率高频变压器的绕组结构,包括箔绕式箔形导体绕组以及设置于箔形导体绕组端部的导磁材料。本发明绕组结构可显著减少箔形绕组端部高频涡流损耗。

公开(公告)号：CN114065918A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111339556.X

申请日：2021-11-12

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈为 ,  邱丽晨

IPC: G06N3/04 ,  G06N3/08 ,  G01K7/02

Abstract: 本发明涉及一种基于BP曲线反演逆推的高频磁元件绕组实际温升检测方法，包括以下步骤：步骤S1:将测温组件埋置在磁元件内部的测温点位置，在加电达到稳定温升后断电，采集并记录下断电后的温升下降数据；步骤S2:根据预设逆推时间点，获取逆推时间点之后的温升数据，并基于BP神经网络模型进行数据反演逆推得磁元件绕组测温点实际温升。本发明克服热电偶和热敏电阻等金属性温升传感器件在高频磁场下的额外温升影响，实现在高频磁场下磁元件绕组内部热点温升的准确测量。

公开(公告)号：CN113884957A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202111130898.0

申请日：2021-09-26

Applicant: 福州大学

Inventor： 汪晶慧 ,  卢志诚 ,  陈为

IPC: G01R33/12

Abstract: 本发明提出一种PFC电路磁性元件磁心损耗测量方法及系统，基于直流功率法测量原理，提出并搭建了工频正弦波叠加高频PWM波励磁下磁性元件磁心损耗测量系统，通过将工频正弦波和高频PWM波励磁源同时施加在被测件上，模拟出PFC电路中施加在磁性元件上的励磁波形。该测量系统避免了交流功率法在线测量PFC电感磁心损耗时不能单一控制参数的缺陷，能够量化各个影响因素对PFC电感磁心损耗的影响，可以精确的测量PFC电感磁心损耗。

公开(公告)号：CN113659734A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110928369.9

申请日：2021-08-13

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈庆彬 ,  施建鑫 ,  陈为

IPC: H02J50/12 ,  H02M3/335 ,  H02M1/32 ,  H04B5/00

Abstract: 本发明提出一种基于方波调制的分离信道式双向无线电能与信号同步传输系统，其电路结构由分离的无线电能传输模块和无线信号传输模块构成，并由罐型磁芯组成的磁耦合结构相连接，所述磁耦合结构在磁芯内部绕功率线圈，在磁芯外部绕信号线圈。在保证电能稳定传输的前提下，通过方波调制产生方波信号，再经磁感应耦合方式进行信号传输，无需采用载波，不需要复杂的调制和解调电路，且最大通信速率不受电能传输的影响，易于抗串扰设计。通过数字量来实现信号的传输，有效地抑制了功率与信号之间的串扰，实现了信号的稳定传输。

公开(公告)号：CN111245108B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202010049224.7

申请日：2020-01-16

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈庆彬 ,  王聪 ,  陈为

IPC: H02J50/12 ,  H02J50/70 ,  H02J50/90

Abstract: 本发明涉及一种基于SS补偿的无线电能传输磁耦合系统的发射与接收线圈匝数优化设计方法，从磁耦合系统线圈损耗的角度来分析无线电能传输系统的效率，量化线圈损耗所占的比重，为提高系统的效率提供思路；同时本发明基于发射及接收线圈匝数的优化调整，在不改变现有线圈的尺寸、保证相同输出指标的同时，减小线圈损耗；发射与接收线圈的线径根据相同的电流密度来选择，可以降低线圈设计成本。

公开(公告)号：CN107992714B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201810070552.8

申请日：2018-01-25

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈为 ,  柳百毅

IPC: G06F30/23

Abstract: 本发明提供一种适用于圆导体绕组高频损耗分析与计算方法，其中分析方法包括以下步骤：步骤S1：将圆导体等效为方导体；步骤S2：在导体周围磁场满足一维分布条件下，通过一维电磁场涡流方程求得方导体的电流密度分布，并结合圆导体和方导体电流密度分布的关系，以此建立圆导体的绕组损耗模型。本发明模型简单，便于分析和计算；将圆导体的涡流效应分解为集肤效应和邻近效应，并从集肤效应和邻近效应分别作用下，分析并仿真验证圆导体和方导体的电流密度分布规律；能够依据一维电磁场涡流方程求解所得的方导体电流密度分布公式，较为精确地推算出圆导体的涡流损耗模型。