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公开(公告)号：CN109913220B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201811622060.1
申请日：2015-07-15
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C09K13/06 , C09K13/04 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种蚀刻用组合物、一种该组合物的制备方法、以及一种使用该组合物制备半导体器件的方法。所述组合物可以包含第一无机酸、至少一种通过第二无机酸和硅烷化合物之间的反应生成的硅烷无机酸盐以及溶剂。所述第二无机酸可以为选自硫酸、发烟硫酸、硝酸、磷酸以及它们的组合中的至少一种。
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公开(公告)号：CN109913220A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201811622060.1
申请日：2015-07-15
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C09K13/06 , C09K13/04 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种蚀刻用组合物、一种该组合物的制备方法、以及一种使用该组合物制备半导体器件的方法。所述组合物可以包含第一无机酸、至少一种通过第二无机酸和硅烷化合物之间的反应生成的硅烷无机酸盐以及溶剂。所述第二无机酸可以为选自硫酸、发烟硫酸、硝酸、磷酸以及它们的组合中的至少一种。
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公开(公告)号：CN105273718B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201510415950.5
申请日：2015-07-15
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C09K13/06 , C09K13/04 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种蚀刻用组合物、一种该组合物的制备方法、以及一种使用该组合物制备半导体器件的方法。所述组合物可以包含第一无机酸、至少一种通过第二无机酸和硅烷化合物之间的反应生成的硅烷无机酸盐以及溶剂。所述第二无机酸可以为选自硫酸、发烟硫酸、硝酸、磷酸以及它们的组合中的至少一种。
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公开(公告)号：CN109689838A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780055665.4
申请日：2017-12-26
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C09K13/06 , H01L21/306 , H01L21/3213 , C09K13/04
Abstract: 本发明涉及一种蚀刻用组合物，以及包括使用所述蚀刻用组合物的蚀刻工艺的制造半导体器件的方法，所述蚀刻用组合物包含第一无机酸、第一添加剂和溶剂。所述蚀刻用组合物可以使氧化物膜的蚀刻速率最小化同时选择性地去除氮化物膜，并且没有不利地影响器件特性的诸如产生粒子的问题，并且是高选择性的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105273718A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510415950.5
申请日：2015-07-15
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C09K13/06 , C09K13/04 , H01L21/311
CPC classification number: C09K13/06 , H01L21/31111 , H01L27/11556 , H01L29/66825
Abstract: 本发明涉及一种蚀刻用组合物、一种该组合物的制备方法、以及一种使用该组合物制备半导体器件的方法。所述组合物可以包含第一无机酸、至少一种通过第二无机酸和硅烷化合物之间的反应生成的硅烷无机酸盐以及溶剂。所述第二无机酸可以为选自硫酸、发烟硫酸、硝酸、磷酸以及它们的组合中的至少一种。
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公开(公告)号：CN108102654B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201711188427.9
申请日：2017-11-24
IPC: C09K13/04 , C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及蚀刻剂组合物以及使用其制造集成电路器件的方法。蚀刻剂组合物包括无机酸、硅氧烷化合物、铵化合物和溶剂，其中所述硅氧烷化合物由通式(I)表示。制造集成电路器件的方法包括：在基底上形成结构体，所述结构体具有氧化物膜和氮化物膜暴露于其上的表面；和通过使所述蚀刻剂组合物与所述结构体接触而从所述氧化物膜和所述氮化物膜选择性地除去所述氮化物膜。
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公开(公告)号：CN108291132B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201680071078.X
申请日：2016-10-28
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C09K3/00 , H01L21/306 , C09K13/06 , C09K13/04 , C09K13/08
Abstract: 本发明涉及蚀刻用组合物以及包括利用该蚀刻用组合物的蚀刻工艺的半导体器件的制造方法，所述蚀刻用组合物包含：第一无机酸；第一添加剂，其为选自亚磷酸(phosphorous acid)、有机亚磷酸酯(organic phosphite)、次磷酸盐(hypophosphite)及它们的混合物中的任意一种；以及溶剂。所述蚀刻用组合物能够最大限度地降低氧化膜的蚀刻率，并且能够选择性地去除氮化膜，不会产生对器件特性造成恶劣影响的颗粒，具有高选择比。
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公开(公告)号：CN108291132A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680071078.X
申请日：2016-10-28
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C09K3/00 , H01L21/306 , C09K13/06 , C09K13/04 , C09K13/08
CPC classification number: C09K3/00 , C09K13/04 , C09K13/06 , C09K13/08 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及蚀刻用组合物以及包括利用该蚀刻用组合物的蚀刻工艺的半导体器件的制造方法，所述蚀刻用组合物包含：第一无机酸；第一添加剂，其为选自亚磷酸(phosphorous acid)、有机亚磷酸酯(organic phosphite)、次磷酸盐(hypophosphite)及它们的混合物中的任意一种；以及溶剂。所述蚀刻用组合物能够最大限度地降低氧化膜的蚀刻率，并且能够选择性地去除氮化膜，不会产生对器件特性造成恶劣影响的颗粒，具有高选择比。
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公开(公告)号：CN108102654A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711188427.9
申请日：2017-11-24
IPC: C09K13/04 , C09K13/06 , H01L21/311
CPC classification number: C09K13/08 , C09K13/06 , H01L21/31111 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , C09K13/04
Abstract: 本发明涉及蚀刻剂组合物以及使用其制造集成电路器件的方法。蚀刻剂组合物包括无机酸、硅氧烷化合物、铵化合物和溶剂，其中所述硅氧烷化合物由通式(I)表示。制造集成电路器件的方法包括：在基底上形成结构体，所述结构体具有氧化物膜和氮化物膜暴露于其上的表面；和通过使所述蚀刻剂组合物与所述结构体接触而从所述氧化物膜和所述氮化物膜选择性地除去所述氮化物膜。
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