公开(公告)号：CN108231573B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN201711223730.8

申请日：2017-11-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金秀珍 ,  李孝善 ,  裵珍惠 ,  林廷训 ,  崔容在

IPC: H01L21/306 ,  C09K13/08

Abstract: 本发明涉及蚀刻组合物及通过使用其制造半导体器件的方法。蚀刻组合物可包括过乙酸混合物、氟化合物、有机溶剂(例如乙酸酯系有机溶剂)和水。蚀刻组合物可用于选择性地蚀刻硅‑锗(SiGe)。

公开(公告)号：CN108122752B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN201711203216.8

申请日：2017-11-27

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李孝善 ,  金澔永 ,  裵相元 ,  金珉久 ,  林廷训 ,  崔容在

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 公开蚀刻组合物和使用其制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物从包括氮化钛(TiN)膜和氮化钽(TaN)膜的堆叠的导电膜结构选择性地除去氮化钛膜。配置用于蚀刻氮化钛(TiN)的所述蚀刻组合物包括相对于所述蚀刻组合物的总重量的5重量％‑30重量％的过氧化氢、15重量％‑50重量％的酸化合物、和0.001重量％‑5重量％的腐蚀抑制剂，其中所述酸化合物包括如下的至少一种：磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、盐酸(HCl)、氢碘酸(HI)、氢溴酸(HBr)、高氯酸(HClO4)、硅酸(H2SiO3)、硼酸(H3BO3)、乙酸(CH3COOH)、丙酸(C2H5COOH)、乳酸(CH3CH(OH)COOH)、和乙醇酸(HOCH2COOH)。

公开(公告)号：CN108122752A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711203216.8

申请日：2017-11-27

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李孝善 ,  金澔永 ,  裵相元 ,  金珉久 ,  林廷训 ,  崔容在

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 公开蚀刻组合物和使用其制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物从包括氮化钛(TiN)膜和氮化钽(TaN)膜的堆叠的导电膜结构选择性地除去氮化钛膜。配置用于蚀刻氮化钛(TiN)的所述蚀刻组合物包括相对于所述蚀刻组合物的总重量的5重量％-30重量％的过氧化氢、15重量％-50重量％的酸化合物、和0.001重量％-5重量％的腐蚀抑制剂，其中所述酸化合物包括如下的至少一种：磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、盐酸(HCl)、氢碘酸(HI)、氢溴酸(HBr)、高氯酸(HClO4)、硅酸(H2SiO3)、硼酸(H3BO3)、乙酸(CH3COOH)、丙酸(C2H5COOH)、乳酸(CH3CH(OH)COOH)、和乙醇酸(HOCH2COOH)。

公开(公告)号：CN105273718A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510415950.5

申请日：2015-07-15

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 朴宰完 ,  林廷训 ,  李珍旭

IPC: C09K13/06 ,  C09K13/04 ,  H01L21/311

CPC classification number: C09K13/06 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/11556 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻用组合物、一种该组合物的制备方法、以及一种使用该组合物制备半导体器件的方法。所述组合物可以包含第一无机酸、至少一种通过第二无机酸和硅烷化合物之间的反应生成的硅烷无机酸盐以及溶剂。所述第二无机酸可以为选自硫酸、发烟硫酸、硝酸、磷酸以及它们的组合中的至少一种。

公开(公告)号：CN106497569A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610796482.5

申请日：2016-08-31

Applicant: 三星显示有限公司 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金荣濬 ,  安守民 ,  郑在祐 ,  朴弘植 ,  孙桢翊 ,  吴晞诚 ,  林廷训

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明公开一种蚀刻液组合物以及利用它的薄膜晶体管显示板的制造方法。根据本发明的一实施例的蚀刻液组合物可以包含5重量％以上且20重量％以下的硝酸、1重量％以上且15重量％以下的醋酸、0.1重量％以上且5重量％以下的醋酸盐、0.1重量％以上且4重量％以下的含卤化合物及使全部组合物的总重量成为100重量％的水。

公开(公告)号：CN117568038A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311355876.3

申请日：2017-12-26

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 朴宰完 ,  林廷训 ,  李珍旭

IPC: C09K13/06 ,  C09K13/04

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻用组合物，所述蚀刻用组合物包含第一无机酸、第一添加剂和溶剂。所述蚀刻用组合物可以使氧化物膜的蚀刻速率最小化同时选择性地去除氮化物膜，并且没有不利地影响器件特性的诸如产生粒子的问题，并且是高选择性的。

公开(公告)号：CN109913220B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201811622060.1

申请日：2015-07-15

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 朴宰完 ,  林廷训 ,  李珍旭

IPC: C09K13/06 ,  C09K13/04 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻用组合物、一种该组合物的制备方法、以及一种使用该组合物制备半导体器件的方法。所述组合物可以包含第一无机酸、至少一种通过第二无机酸和硅烷化合物之间的反应生成的硅烷无机酸盐以及溶剂。所述第二无机酸可以为选自硫酸、发烟硫酸、硝酸、磷酸以及它们的组合中的至少一种。

公开(公告)号：CN109913220A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201811622060.1

申请日：2015-07-15

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 朴宰完 ,  林廷训 ,  李珍旭

IPC: C09K13/06 ,  C09K13/04 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻用组合物、一种该组合物的制备方法、以及一种使用该组合物制备半导体器件的方法。所述组合物可以包含第一无机酸、至少一种通过第二无机酸和硅烷化合物之间的反应生成的硅烷无机酸盐以及溶剂。所述第二无机酸可以为选自硫酸、发烟硫酸、硝酸、磷酸以及它们的组合中的至少一种。

公开(公告)号：CN105273718B

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201510415950.5

申请日：2015-07-15

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 朴宰完 ,  林廷训 ,  李珍旭

IPC: C09K13/06 ,  C09K13/04 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻用组合物、一种该组合物的制备方法、以及一种使用该组合物制备半导体器件的方法。所述组合物可以包含第一无机酸、至少一种通过第二无机酸和硅烷化合物之间的反应生成的硅烷无机酸盐以及溶剂。所述第二无机酸可以为选自硫酸、发烟硫酸、硝酸、磷酸以及它们的组合中的至少一种。

公开(公告)号：CN108102654B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201711188427.9

申请日：2017-11-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李轸雨 ,  金建伶 ,  韩勋 ,  林廷训 ,  李珍旭 ,  朴宰完

IPC: C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及蚀刻剂组合物以及使用其制造集成电路器件的方法。蚀刻剂组合物包括无机酸、硅氧烷化合物、铵化合物和溶剂，其中所述硅氧烷化合物由通式(I)表示。制造集成电路器件的方法包括：在基底上形成结构体，所述结构体具有氧化物膜和氮化物膜暴露于其上的表面；和通过使所述蚀刻剂组合物与所述结构体接触而从所述氧化物膜和所述氮化物膜选择性地除去所述氮化物膜。