公开(公告)号：CN111052331B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201880056014.1

申请日：2018-08-29

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： M·普利哈尔 ,  B·达菲 ,  M·冯登霍夫 ,  A·克罗斯 ,  K·沙赫 ,  A·马尼

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明提供用于识别在晶片上检测到的缺陷中的扰乱及所关注缺陷DOI的方法及系统。一种方法包含获取由在测量点的阵列处对所述晶片执行测量的计量工具产生的针对所述晶片的计量数据。在一个实施例中，所述测量点是在于所述晶片上检测所述缺陷之前且独立于在所述晶片上检测到的所述缺陷而确定的。所述方法还包含相对于所述晶片上的所述测量点的位置而确定在所述晶片上检测到的所述缺陷的位置，及基于相对于所述测量点的所述位置而确定的所述缺陷的所述位置来将计量数据作为缺陷属性指派给所述缺陷。另外，所述方法包含基于指派给所述缺陷的所述缺陷属性来确定所述缺陷是扰乱还是DOI。

公开(公告)号：CN116802676A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202280012981.4

申请日：2022-02-24

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： K·沙赫 ,  T·杰亚瑞曼 ,  S·坎都库里 ,  A·克罗斯 ,  G·西瓦拉曼

IPC: G06T5/00

Abstract: 本发明公开一种用于增强图像质量的系统及方法。所述系统及方法获取经训练用于使一或多个训练图像及一或多个训练设计图像相关的机器学习模型。所述系统及方法接收对应于样本样品的一或多个特征的一或多个样本样品图像。所述系统及方法通过使用所述机器学习模型至少基于所述一或多个样本样品图像产生一或多个增强图像而增强所述一或多个样本样品图像。

公开(公告)号：CN112703587A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201980058091.5

申请日：2019-09-05

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： W-S·R·李恩 ,  K·沙赫 ,  A·帕克 ,  A·克罗斯

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 随机计算引擎从半导体检验工具或半导体检视工具接收输入。所述随机计算引擎从所述输入确定异常位置及图案变化且从所述输入确定随机故障。与所述随机计算引擎连接的电子数据存储单元可包含具有已知随机行为及已知过程计量变化的数据库。所述随机计算引擎可标记随机特征，确定故障率，或确定故障概率。

公开(公告)号：CN117334609A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311421942.2

申请日：2019-09-05

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： W-S·R·李恩 ,  K·沙赫 ,  A·帕克 ,  A·克罗斯

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 本申请涉及在半导体制造中使用随机故障度量。随机计算引擎从半导体检验工具或半导体检视工具接收输入。所述随机计算引擎从所述输入确定异常位置及图案变化且从所述输入确定随机故障。与所述随机计算引擎连接的电子数据存储单元可包含具有已知随机行为及已知过程计量变化的数据库。所述随机计算引擎可标记随机特征，确定故障率，或确定故障概率。

公开(公告)号：CN108885409B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201780022627.9

申请日：2017-04-05

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： K·沙赫 ,  A·克罗斯

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种用于检测多重图案化制造装置中与重叠相关的缺陷的设计感知系统、方法及计算机程序产品。在使用期间，由计算机系统接收多重图案化制造装置的设计。接着，所述计算机系统自动从所述设计确定所述设计的易于引起重叠误差的一或多个区域。此外，由所述计算机系统将所确定的一或多个区域的指示输出到检验系统以用于检验根据所述设计制造的多重图案化装置。

公开(公告)号：CN110402485A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201780086453.2

申请日：2017-12-18

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： A·克罗斯 ,  A·帕克

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/027

Abstract: 一种弱图案识别方法包含：从晶片上的一组图案获取检验数据；识别所述晶片上的失效图案类型；及将所述失效图案类型的相同图案类型分组成图案群组集。所述弱图案识别方法还包含从分组于第一群组中的第一图案类型的多个变化例子获取图像数据，其中在不同条件下形成所述第一图案类型的所述多个变化例子。所述弱图案识别方法还包含比较从所述第一图案类型的所述例子的共同结构获得的图像以识别所述第一图案类型的部分内的局部差异。此外，所述弱图案识别方法包含识别所述第一图案类型的所述部分内靠近所述第一图案类型的所述部分内的所述局部差异的位置的计量位点。

公开(公告)号：CN108885409A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780022627.9

申请日：2017-04-05

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： K·沙赫 ,  A·克罗斯

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G06T7/0004 ,  G06T2207/30148 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0338 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明提供一种用于检测多重图案化制造装置中与重叠相关的缺陷的设计感知系统、方法及计算机程序产品。在使用期间，由计算机系统接收多重图案化制造装置的设计。接着，所述计算机系统自动从所述设计确定所述设计的易于引起重叠误差的一或多个区域。此外，由所述计算机系统将所确定的一或多个区域的指示输出到检验系统以用于检验根据所述设计制造的多重图案化装置。

公开(公告)号：CN117546093A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202280043951.X

申请日：2022-11-09

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： A·克罗斯 ,  K·沙赫 ,  M·普利哈尔

IPC: G03F7/20

Abstract: 工艺窗鉴定(PWQ)布局能够用于确定与图案、图案化工艺或图案化设备相关联的图案异常的存在。例如，调制裸片或场能够与略低偏移调制裸片或场比较。在另一实例中，比较特定条件或条件的组合的高低角。在又一实例中，工艺调制参数能够用于估计所关注特定弱点的临界状态。

公开(公告)号：CN110402485B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201780086453.2

申请日：2017-12-18

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： A·克罗斯 ,  A·帕克

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/027

Abstract: 一种弱图案识别方法包含：从晶片上的一组图案获取检验数据；识别所述晶片上的失效图案类型；及将所述失效图案类型的相同图案类型分组成图案群组集。所述弱图案识别方法还包含从分组于第一群组中的第一图案类型的多个变化例子获取图像数据，其中在不同条件下形成所述第一图案类型的所述多个变化例子。所述弱图案识别方法还包含比较从所述第一图案类型的所述例子的共同结构获得的图像以识别所述第一图案类型的部分内的局部差异。此外，所述弱图案识别方法包含识别所述第一图案类型的所述部分内靠近所述第一图案类型的所述部分内的所述局部差异的位置的计量位点。

公开(公告)号：CN111052331A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880056014.1

申请日：2018-08-29

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： M·普利哈尔 ,  B·达菲 ,  M·冯登霍夫 ,  A·克罗斯 ,  K·沙赫 ,  A·马尼

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明提供用于识别在晶片上检测到的缺陷中的扰乱及所关注缺陷DOI的方法及系统。一种方法包含获取由在测量点的阵列处对所述晶片执行测量的计量工具产生的针对所述晶片的计量数据。在一个实施例中，所述测量点是在于所述晶片上检测所述缺陷之前且独立于在所述晶片上检测到的所述缺陷而确定的。所述方法还包含相对于所述晶片上的所述测量点的位置而确定在所述晶片上检测到的所述缺陷的位置，及基于相对于所述测量点的所述位置而确定的所述缺陷的所述位置来将计量数据作为缺陷属性指派给所述缺陷。另外，所述方法包含基于指派给所述缺陷的所述缺陷属性来确定所述缺陷是扰乱还是DOI。