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公开(公告)号:CN116681676A
公开(公告)日:2023-09-01
申请号:CN202310673557.0
申请日:2017-04-21
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本申请涉及计算机辅助弱图案检测及鉴定系统。弱图案检测及鉴定系统可包含经配置以检验晶片及检测存在于所述晶片上的缺陷的晶片检验工具。所述系统还可包含与所述晶片检验工具通信的至少一个处理器。所述至少一个处理器可经配置以:基于所述晶片的设计对所述所检测缺陷执行图案分组;基于所述图案分组识别所关注区域;识别含于所述经识别所关注区域中的弱图案,所述弱图案是偏离所述设计达大于阈值的量的图案;验证所述经识别弱图案;及报告所述经验证弱图案或基于所述经验证弱图案促成所述晶片的所述设计的修正。
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公开(公告)号:CN110402485B
公开(公告)日:2020-10-27
申请号:CN201780086453.2
申请日:2017-12-18
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/027
Abstract: 一种弱图案识别方法包含:从晶片上的一组图案获取检验数据;识别所述晶片上的失效图案类型;及将所述失效图案类型的相同图案类型分组成图案群组集。所述弱图案识别方法还包含从分组于第一群组中的第一图案类型的多个变化例子获取图像数据,其中在不同条件下形成所述第一图案类型的所述多个变化例子。所述弱图案识别方法还包含比较从所述第一图案类型的所述例子的共同结构获得的图像以识别所述第一图案类型的部分内的局部差异。此外,所述弱图案识别方法包含识别所述第一图案类型的所述部分内靠近所述第一图案类型的所述部分内的所述局部差异的位置的计量位点。
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公开(公告)号:CN109075101B
公开(公告)日:2020-06-19
申请号:CN201780027411.1
申请日:2017-05-04
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种在目标组件与参考组件之间具有一致调制的所制造装置。所述所制造装置包含具有第一调制的目标组件。所述所制造装置进一步包含所述目标组件的至少两个参考组件,其包含第一参考组件及第二参考组件,其中所述第一参考组件及所述第二参考组件各自具有所述第一调制。此外,本发明提供一种用于使用目标及参考组件的一致调制检测所制造目标组件中的缺陷的系统、方法及计算机程序产品。
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公开(公告)号:CN110494741A
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201880023806.9
申请日:2018-04-04
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于从所制造组件识别的图案缺陷的系统性及随机性表征的系统、方法及计算机程序产品。在使用中,识别从所制造组件检测的多个图案缺陷。另外,基于预定义准则来分析所述图案缺陷中的每一者的属性。此外,从所述分析确定所述多个图案缺陷的第一组图案缺陷是系统图案缺陷,且从所述分析确定所述多个图案缺陷的第二组图案缺陷是随机图案缺陷。此外,针对所述经确定系统图案缺陷执行第一动作,且针对所述经确定随机图案缺陷执行第二动作。
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公开(公告)号:CN104620097A
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN201380047045.8
申请日:2013-08-01
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G01N21/956 , H01L21/027 , H01L21/66
CPC classification number: G06T7/0004 , G06T7/001 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148
Abstract: 本发明提供用于检验晶片及/或预测形成于晶片上的装置的一或多个特性的方法。一种方法包含:获取印刷于晶片上的多个裸片的图像,所述裸片中的每一者是通过对所述晶片执行双重图案化光刻过程而印刷,且所述裸片包含以针对所述双重图案化光刻过程的叠对的标称值印刷的两个或两个以上裸片以及以所述叠对的经调制值印刷的一或多个裸片;将针对以所述标称值印刷的所述多个裸片所获取的所述图像与针对以所述经调制值印刷的所述多个裸片所获取的所述图像进行比较;及基于所述比较步骤的结果来检测以所述经调制值印刷的所述多个裸片中的缺陷。
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公开(公告)号:CN107924850B
公开(公告)日:2022-06-28
申请号:CN201680047524.3
申请日:2016-08-27
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供用于确定将对样本执行的过程的参数的方法及系统。一种系统包含经配置用于确定在样本上检测到的缺陷的区域的一或多个计算机子系统。所述计算机子系统还经配置用于将所述缺陷的所述区域与所述样本的设计的信息相互关联且基于所述相互关联的结果确定所述缺陷的所述区域与所述设计的所述信息之间的空间关系。另外,所述计算机子系统经配置用于基于所述空间关系自动产生待在针对所述样本执行的过程期间使用测量子系统测量的所关注区。
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公开(公告)号:CN111316173A
公开(公告)日:2020-06-19
申请号:CN201880072591.X
申请日:2018-06-24
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明揭示一种用于在半导体制造过程中测量叠加的方法及系统,其包括:在经预先确定制造阶段捕获对象中的特征的图像;从所述图像导出图像参数的数量;及将所述数量转换成叠加测量。所述转换是参考在相同经预先确定制造阶段从具有已知OVL的特征的参考图像导出的图像参数数量。所述图像并非详细图像且所述特征的大小小于成像工具的分辨率。还揭示一种确定由检验工具使用的装置检验配方的方法,其包括:将装置图案识别为可能对OVL敏感的候选装置关注区域;导出对每一所识别图案的OVL响应;使所述OVL响应与所测量OVL相关;及基于所述相关性选择一些或所有所述装置图案作为装置关注区域。一些实施例使用可打印于裸片区域中或裸片上的新颖目标。
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