公开(公告)号：CN102770969A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201080064460.0

申请日：2010-12-21

Applicant: 第一太阳能有限公司

Inventor： 基思·J·布罗斯 ,  安妮特·克瑞斯考 ,  鲍伊·帕什马考威 ,  哈沙德·帕蒂 ,  杨宇 ,  赵志波

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/00

CPC classification number: H01L31/1864 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种制造结构的方法可包括在透明导电氧化物层上形成缓冲层，其中，所述缓冲层包括含有锌和锡的层，所述透明导电氧化物层包括含有镉和锡的层。