公开(公告)号：CN102959120A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180031976.X

申请日：2011-06-28

Applicant: 第一太阳能有限公司

Inventor： 边雅敏·布鲁尔 ,  道格拉斯·达尔森 ,  斯科特·米尔斯 ,  戴尔·罗伯茨 ,  杨宇 ,  赵志波 ,  基思·J·布罗斯 ,  克劳斯·哈蒂格 ,  安妮特·克瑞斯考

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L31/0224

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C23C14/086 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种结构包括阻挡层和透明导电氧化物层，阻挡层可以包括氧化硅铝，透明导电氧化物层可以包括镉和锡的层。

公开(公告)号：CN103180962B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201180049519.3

申请日：2011-08-10

Applicant: 第一太阳能有限公司

Inventor： 本雅明·布勒 ,  马库斯·格鲁艾克勒 ,  李青浩 ,  邵锐 ,  杨宇 ,  赵志波

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022466 ,  C03C17/2453 ,  C03C17/3417 ,  C03C2217/232 ,  C03C2217/94 ,  C23C14/086 ,  C23C14/5806 ,  C23C16/407 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种制造光伏装置的方法包括同时进行使透明导电氧化物层从基本上非晶态转变为基本上结晶态的步骤和形成一个或多个半导体层的步骤。

公开(公告)号：CN102959120B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201180031976.X

申请日：2011-06-28

Applicant: 第一太阳能有限公司

Inventor： 边雅敏·布鲁尔 ,  道格拉斯·达尔森 ,  斯科特·米尔斯 ,  戴尔·罗伯茨 ,  杨宇 ,  赵志波 ,  基思·J·布罗斯 ,  克劳斯·哈蒂格 ,  安妮特·克瑞斯考

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L31/0224

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C23C14/086 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种结构包括阻挡层和透明导电氧化物层，阻挡层可以包括氧化硅铝，透明导电氧化物层可以包括镉和锡的层。

公开(公告)号：CN103384919A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201180014473.1

申请日：2011-03-16

Applicant: 第一太阳能有限公司

Inventor： 赵志波 ,  戴尔·罗伯茨 ,  杨宇 ,  道格拉斯·达尔森

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种制造多层结构的方法可包括：邻近基底形成包括锡酸镉的透明导电氧化物层；在包含还原剂的环境中在大于500℃的温度下对该结构进行退火，以使锡酸镉结晶化。

公开(公告)号：CN102770969A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201080064460.0

申请日：2010-12-21

Applicant: 第一太阳能有限公司

Inventor： 基思·J·布罗斯 ,  安妮特·克瑞斯考 ,  鲍伊·帕什马考威 ,  哈沙德·帕蒂 ,  杨宇 ,  赵志波

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/00

CPC classification number: H01L31/1864 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种制造结构的方法可包括在透明导电氧化物层上形成缓冲层，其中，所述缓冲层包括含有锌和锡的层，所述透明导电氧化物层包括含有镉和锡的层。

公开(公告)号：CN102365707B

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201080014178.1

申请日：2010-01-14

Applicant: 第一太阳能有限公司

Inventor： 杨宇 ,  布伊尔·帕斯马科夫 ,  赵志波

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0296 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种光伏装置，包括具有改善的碲化镉取向的半导体吸收层。

公开(公告)号：CN103180962A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201180049519.3

申请日：2011-08-10

Applicant: 第一太阳能有限公司

Inventor： 本雅明·布勒 ,  马库斯·格鲁艾克勒 ,  李青浩 ,  邵锐 ,  杨宇 ,  赵志波

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022466 ,  C03C17/2453 ,  C03C17/3417 ,  C03C2217/232 ,  C03C2217/94 ,  C23C14/086 ,  C23C14/5806 ,  C23C16/407 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种制造光伏装置的方法包括同时进行使透明导电氧化物层从基本上非晶态转变为基本上结晶态的步骤和形成一个或多个半导体层的步骤。

公开(公告)号：CN102804391A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080032601.0

申请日：2010-05-12

Applicant: 第一太阳能有限公司

Inventor： 斯科特·米尔斯 ,  戴尔·罗伯茨 ,  赵志波 ,  杨宇

IPC: H01L31/0264

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0296 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种光伏器件可包括阻挡层和邻近于基底的透明导电氧化物层，阻挡层可包括含硅材料。

公开(公告)号：CN102576743A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080032680.5

申请日：2010-05-12

Applicant: 第一太阳能有限公司

Inventor： 斯科特·米尔斯 ,  戴尔·罗伯茨 ,  赵志波 ,  杨宇

IPC: H01L31/0264

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种光伏器件可包括邻近于基底的透明导电氧化物层和一个或多个阻挡层，所述一个或多个阻挡层可包括氧化硅或氮化硅。

公开(公告)号：CN102959120B9

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201180031976.X

申请日：2011-06-28

Applicant: 第一太阳能有限公司

Inventor： 边雅敏·布鲁尔 ,  道格拉斯·达尔森 ,  斯科特·米尔斯 ,  戴尔·罗伯茨 ,  杨宇 ,  赵志波 ,  基思·J·布罗斯 ,  克劳斯·哈蒂格 ,  安妮特·克瑞斯考

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L31/0224

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C23C14/086 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种结构包括阻挡层和透明导电氧化物层，阻挡层可以包括氧化硅铝，透明导电氧化物层可以包括镉和锡的层。