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公开(公告)号：CN103481608B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201310232685.8
申请日：2013-06-13
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: C08K3/40 , C08G77/045 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08G77/50 , C08J5/24 , C08J2383/05 , C08J2383/07 , C08J2383/14 , C08L83/14 , Y10T442/10 , Y10T442/2992
Abstract: 文中公开了复合板，所述复合板包括基质和浸渍在所述基质中的增强材料。所述复合板在350℃具有约98%或更大的重量变化(△W)及在100μN的负荷下约1000MPa或更小的弛豫模量。所述复合板抑制环状结构的变形及在350℃或更高温度的热分解，从而防止在基板的制造中材料在高温被破坏。本文还公开制备所述复合板的方法和包括所述复合板显示器基板。
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公开(公告)号：CN102695987B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201080060384.6
申请日：2010-12-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/11
Abstract: 根据本发明的一个实施方式，一种光致抗蚀剂底层组合物，包括（A）下述化学式1表示的聚硅氧烷树脂和（B）溶剂。根据化学式1：{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(SiO2)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR1)f，所述光致抗蚀剂底层能够具有优良的储存性和耐蚀刻性，并且具有可容易控制的表面特性，以及能够使光致抗蚀剂图案稳定地形成。
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公开(公告)号：CN103889714B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201280051299.2
申请日：2012-09-19
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G02F1/133305 , G02F1/1335 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明涉及复合片材、包含该复合片材的显示元件用基板以及包含该基板的显示装置。更具体地，该复合片材包含：增强材料填充的基质；在该基质的至少一个表面上形成的涂层；以及在该涂层的至少一个表面上形成的阻挡层，其中，如果该基质在25℃的温度下的弹性模量为E2并且该涂层在25℃的温度下的弹性模量为E3，则上述弹性模量之比，即E3/E2，为约5×104或更低。
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公开(公告)号：CN102687075A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080060219.0
申请日：2010-12-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0332 , C08G77/80 , C09D183/04 , G03F7/0752 , G03F7/091 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282
Abstract: 提供了用于抗蚀剂的下层的组合物，包括如在化学式1至3中表示的有机硅烷类缩聚化合物；和溶剂。该用于抗蚀剂的下层的组合物容易控制折射率和光吸收，并且可以提供具有良好的抗反射特性的用于抗蚀剂的下层和使用其的半导体集成电路装置。
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公开(公告)号：CN103889714A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280051299.2
申请日：2012-09-19
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G02F1/133305 , G02F1/1335 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明涉及复合片材、包含该复合片材的显示元件用基板以及包含该基板的显示装置。更具体地，该复合片材包含：增强材料填充的基质；在该基质的至少一个表面上形成的涂层；以及在该涂层的至少一个表面上形成的阻挡层，其中，如果该基质在25℃的温度下的弹性模量为E2并且该涂层在25℃的温度下的弹性模量为E3，则上述弹性模量之比，即E3/E2，为约5×104或更低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102775397A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210128671.7
申请日：2012-04-27
CPC classification number: C07D407/12 , C08G65/18 , C08G65/22 , C08J5/04 , C08J5/043 , Y10T428/24994 , Y10T442/10 , Y10T442/2951 , Y10T442/2992
Abstract: 本公开提供了由通式1表示的氧杂环丁烷-环状环氧化合物、其制备方法、包括该氧杂环丁烷-环状环氧化合物的复合片和包括该复合片的显示器基板。包括作为粘合剂的由通式1表示的氧杂环丁烷-环状环氧化合物的复合片在呈现出适用于显示器基板的优良柔性的同时，具有极好的耐热性、光学性能、抗裂性、机械性能和加工性。[通式1]其中R1为氢、甲基或乙基。
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公开(公告)号：CN102687075B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201080060219.0
申请日：2010-12-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0332 , C08G77/80 , C09D183/04 , G03F7/0752 , G03F7/091 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282
Abstract: 提供了用于抗蚀剂的下层的组合物，包括如在化学式1至3中表示的有机硅烷类缩聚化合物；和溶剂。该用于抗蚀剂的下层的组合物容易控制折射率和光吸收，并且可以提供具有良好的抗反射特性的用于抗蚀剂的下层和使用其的半导体集成电路装置。
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公开(公告)号：CN102695987A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201080060384.6
申请日：2010-12-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/11
Abstract: 根据本发明的一个实施方式，一种光致抗蚀剂底层组合物，包括（A）下述化学式1表示的聚硅氧烷树脂和（B）溶剂。根据化学式1：{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(SiO2)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR1)f，所述光致抗蚀剂底层能够具有优良的储存性和耐蚀刻性，并且具有可容易控制的表面特性，以及能够使光致抗蚀剂图案稳定地形成。
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公开(公告)号：CN101770175A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910215519.0
申请日：2009-12-29
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0752 , C08G77/12 , C08G77/14 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08G77/20 , C08G77/24 , C08G77/26 , C08G77/50 , C08G77/52 , C08G77/70 , C08K5/0008 , C08L83/04 , C08L83/14 , C09D183/04 , C09D183/14 , G03F7/0757 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/36
Abstract: 本发明披露了一种抗蚀剂下层组合物，其包括从以下化学式1和2中的至少一种化合物与以下化学式3～5中的至少一种化合物获得的有机硅烷缩聚产物；以及溶剂。[化学式1][R1]3Si-[Ph1]1-Si[R2]3[化学式2][R1]3Si-[Ph1]m-Ph2[化学式3][R1]3Si-CH2n-R3[化学式4][R1]3Si-R4[化学式5][R1]3Si-X-Si[R2]3在以上化学式1～5中，Ph1、Ph2、R1～R4、X、l、m和n与说明书中的定义相同。
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公开(公告)号：CN101770175B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200910215519.0
申请日：2009-12-29
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0752 , C08G77/12 , C08G77/14 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08G77/20 , C08G77/24 , C08G77/26 , C08G77/50 , C08G77/52 , C08G77/70 , C08K5/0008 , C08L83/04 , C08L83/14 , C09D183/04 , C09D183/14 , G03F7/0757 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/36
Abstract: 本发明披露了一种抗蚀剂下层组合物，其包括从以下化学式1和2中的至少一种化合物与以下化学式3～5中的至少一种化合物获得的有机硅烷缩聚产物；以及溶剂。[化学式1][R1]3Si-[Ph1]1-Si[R2]3[化学式2][R1]3Si-[Ph1]m-Ph2[化学式3][R1]3Si-CH2n-R3[化学式4][R1]3Si-R4[化学式5][R1]3Si-X-Si[R2]3在以上化学式1～5中，Ph1、Ph2、R1～R4、X、l、m和n与说明书中的定义相同。
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