公开(公告)号：CN118262990A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311788022.4

申请日：2023-12-22

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 榎本拓马 ,  阿部隼也 ,  北村开 ,  大高启义

IPC: H01F1/153 ,  H01F41/02 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明提供一种非晶合金软磁性粉末、非晶合金软磁性粉末的制造方法，即使未高浓度添加，也可以制造粒子的覆盖率高，并且导磁率高的成型体。一种非晶合金软磁性粉末，其特征在于，粒子形成扁平形状，通过激光衍射散射式粒度分布测定装置测定的体积标准的平均粒径为超过150μm且500μm以下，矫顽力为398[A/m]以下(5.0[Oe]以下)。另外，优选通过筛分分级后的粒径为超过300μm且600μm以下的粒子的比率为15质量％以上且40质量％以下。

公开(公告)号：CN117457311A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310919007.2

申请日：2023-07-24

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 中村敦 ,  榎本拓马 ,  北村开 ,  阿部隼也 ,  大本正幸

IPC: H01F1/36 ,  H01F7/06

Abstract: 提供一种兼顾高磁导率和低矫顽力的无定形合金软磁性粉末、压粉磁芯和磁性元件、以及能够实现高输出化的电子设备。无定形合金软磁性粉末由下述粒子构成，其组成式以原子数比表示为(Fe1‑xCrx)a(Si1‑yBy)100‑a‑bCb[x、y、a及b为0＜x≤0.06，0.3≤y≤0.7，70.0≤a≤81.0，0＜b≤3.0]，在将分析深度设定为块进行XAFS测定时，所得到的Fe‑K吸收端XANES光谱具有：第一吸收端结构，包含存在于7113±1eV范围内的峰A；以及第一连续带结构，位于比第一吸收端结构更高能量侧，在将第一连续带结构的强度设为1时，7113eV处的峰A的强度为0.60以上0.90以下。

公开(公告)号：CN117457310A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310913864.1

申请日：2023-07-24

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 中村敦 ,  榎本拓马 ,  北村开 ,  阿部隼也 ,  大本正幸

IPC: H01F1/22

Abstract: 提供一种兼顾高磁导率和低矫顽力的无定形合金软磁性粉末、包含其的压粉磁芯和磁性元件、以及能够实现高输出化的电子设备。无定形合金软磁性粉末的特征在于，由下述的粒子构成，该粒子具有以原子数比表示的组成式Fea(Si1‑xBx)bCc[其中，a、b、c和x为76.0≤a≤81.0，16.0≤b≤22.0，0＜c≤3.0，0.5≤x≤0.9。]的组成，并且，在将分析深度设定为表面进行XAFS测定时，所得到的Si‑K吸收端XANES光谱具有存在于能量为1845±1eV的范围内的峰A和存在于能量为1848±1eV的范围内的峰B，在将所述峰A的强度设为A、将所述峰B的强度设为B时，强度比A/B为0.25以下。

公开(公告)号：CN116504481A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310113010.5

申请日：2023-01-20

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 渡边真侑 ,  榎本拓马 ,  北村开 ,  阿部隼也 ,  中村敦 ,  大本正幸 ,  朝冈一郎

IPC: H01F1/153 ,  B22F1/08 ,  C22C38/10 ,  C22C38/02 ,  C22C38/00 ,  H01F27/255

Abstract: 本发明提供一种兼顾高饱和磁通密度和低矫顽力的非晶合金软磁性粉末、压粉磁芯、磁性元件及电子设备。非晶合金软磁性粉末，具有(FexCo1‑x)100‑(a+b)(SiyB1‑y)aMb表示的组成，M为选自由C、S、P、Sn、Mo、Cu及Nb构成的组的至少一种，x、y、a及b为0.73≤x≤0.85、0.02≤y≤0.10、13.0≤a≤19.0、0≤b≤2.0，对粒子进行XAFS测定后得到的Si‑K吸收端XANES光谱具有1842±1eV处存在的峰A、1845±1eV处存在的峰B和1848±1eV处存在的峰C，强度比A/C为0.40以下，强度比B/C为0.60以下。