软磁性粉末、压粉磁芯、磁性元件及电子设备

    公开(公告)号:CN119811818A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202411395665.7

    申请日:2024-10-08

    Abstract: 本申请公开了一种软磁性粉末、压粉磁芯、磁性元件及电子设备。本申请提供:软磁性粉末,粒径小且充填性优异,能够制造低铁损且磁特性良好的压粉磁芯;压粉磁芯及磁性元件,包含所涉及的软磁性粉末并且低铁损且磁特性良好;以及电子设备,具备所述磁性元件。一种软磁性粉末,其特征在于,由作为主成分的Fe、含有率为2.5质量%以上且7.5质量以下的Si、含有率为1.0质量%以上且10.0质量%以下的Cr、含有率为0.05质量%以上且1.10%以下的Sn以及杂质形成,平均粒径为2.0μm以上且10.0μm以下,粒子的平均圆度为0.08以上且0.95以下。

    非晶质合金软磁性粉末、压粉磁芯、磁性元件及电子设备

    公开(公告)号:CN114823033A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210042584.3

    申请日:2022-01-14

    Abstract: 本发明提供一种高度地同时实现较低的矫顽力和较高的饱和磁通密度的非晶质合金软磁性粉末、包含所涉及的非晶质合金软磁性粉末的压粉磁芯及磁性元件、以及能够实施小型化及高输出化的电子设备。本发明的非晶质合金软磁性粉末,其特征在于,具有由(FexCo(1‑x))(100‑(a+b))(SiyB(1‑y))aMb表示的组分,其中,M为,选自由C、S、P、Sn、Mo、Cu以及Nb构成的组中的至少一种,x、y、a以及b为,0.73≤x≤0.85、0.02≤y≤0.10、13.0≤a≤19.0、0≤b≤2.0,矫顽力为,24[A/m]以上(0.3[Oe]以上)且199[A/m]以下(2.5[Oe]以下),饱和磁通密度为,1.60[T]以上且2.20[T]以下。

    非晶合金软磁性粉末及非晶合金软磁性粉末的制造方法

    公开(公告)号:CN118262990A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202311788022.4

    申请日:2023-12-22

    Abstract: 本发明提供一种非晶合金软磁性粉末、非晶合金软磁性粉末的制造方法,即使未高浓度添加,也可以制造粒子的覆盖率高,并且导磁率高的成型体。一种非晶合金软磁性粉末,其特征在于,粒子形成扁平形状,通过激光衍射散射式粒度分布测定装置测定的体积标准的平均粒径为超过150μm且500μm以下,矫顽力为398[A/m]以下(5.0[Oe]以下)。另外,优选通过筛分分级后的粒径为超过300μm且600μm以下的粒子的比率为15质量%以上且40质量%以下。

    无定形合金软磁性粉末、压粉磁芯、磁性元件及电子设备

    公开(公告)号:CN117457311A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202310919007.2

    申请日:2023-07-24

    Abstract: 提供一种兼顾高磁导率和低矫顽力的无定形合金软磁性粉末、压粉磁芯和磁性元件、以及能够实现高输出化的电子设备。无定形合金软磁性粉末由下述粒子构成,其组成式以原子数比表示为(Fe1‑xCrx)a(Si1‑yBy)100‑a‑bCb[x、y、a及b为0<x≤0.06,0.3≤y≤0.7,70.0≤a≤81.0,0<b≤3.0],在将分析深度设定为块进行XAFS测定时,所得到的Fe‑K吸收端XANES光谱具有:第一吸收端结构,包含存在于7113±1eV范围内的峰A;以及第一连续带结构,位于比第一吸收端结构更高能量侧,在将第一连续带结构的强度设为1时,7113eV处的峰A的强度为0.60以上0.90以下。

    无定形合金软磁性粉末、压粉磁芯、磁性元件及电子设备

    公开(公告)号:CN117457310A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202310913864.1

    申请日:2023-07-24

    Abstract: 提供一种兼顾高磁导率和低矫顽力的无定形合金软磁性粉末、包含其的压粉磁芯和磁性元件、以及能够实现高输出化的电子设备。无定形合金软磁性粉末的特征在于,由下述的粒子构成,该粒子具有以原子数比表示的组成式Fea(Si1‑xBx)bCc[其中,a、b、c和x为76.0≤a≤81.0,16.0≤b≤22.0,0<c≤3.0,0.5≤x≤0.9。]的组成,并且,在将分析深度设定为表面进行XAFS测定时,所得到的Si‑K吸收端XANES光谱具有存在于能量为1845±1eV的范围内的峰A和存在于能量为1848±1eV的范围内的峰B,在将所述峰A的强度设为A、将所述峰B的强度设为B时,强度比A/B为0.25以下。

Patent Agency Ranking