公开(公告)号：CN1577913A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410062352.6

申请日：2004-07-06

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 西川尚男 ,  下田达也 ,  岩佐义宏 ,  竹延大志 ,  小林慎一郎 ,  三谷忠兴

IPC: H01L51/20 ,  H01L51/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0545 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0516

Abstract: 本发明公开了一种即使不改变形成有机半导体薄膜的材料，也能够容易地控制阈值电压的有机薄膜晶体管及其制造方法。该有机薄膜晶体管包括栅电极(12)、栅极绝缘膜(14)、源电极(16)、漏电极(18)和有机半导体膜(20)，其中，在栅极绝缘膜(14)和有机半导体薄膜(20)之间具有阈值电压控制膜(22)。