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公开(公告)号：CN106098732A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610270948.8
申请日：2016-04-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 村田贤志
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/3211 , H01L27/3246 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种电光装置及其制造方法、电子设备。电光装置的特征在于，包括：显示区域(E)，其包括具有沟槽密度D1的元件分离区域(88)并配置有像素电路(110)；驱动电路区域(105)，其包括设置有具有沟槽密度D2的驱动电路元件分离部的区域并配置有驱动电路(101、102)；周边区域(106)，其包括设置有具有沟槽密度D3的周边元件分离部的区域并至少被配置在显示区域(E)与驱动电路区域(105)之间，沟槽密度D1与沟槽密度D2不同，沟槽密度D1与沟槽密度D3相等。
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公开(公告)号：CN104835829A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510061871.9
申请日：2015-02-05
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 村田贤志
CPC classification number: H01L51/5271 , H01L27/3244 , H01L51/5265 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明提供一种电子光学装置、电子光学装置的制造方法、电子设备。所述显示装置为配置有多个像素的显示装置，其特征在于，像素具有在Z方向上依次层叠的反射层、光学距离调整层、像素电极、绝缘膜、发光功能层、对置电极，绝缘膜具有与像素电极的一部分重叠的开口，反射层以跨及多个像素的方式而被配置，且具有反射率较高的部分(第一基底膜与反射膜层叠的部分)、反射率较低的部分(第二基底膜与反射膜层叠的部分)，反射率较高的部分(第一基底膜与反射膜层叠的部分)以在俯视观察时与开口的至少一部分重叠的方式而被配置。
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公开(公告)号：CN104835829B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201510061871.9
申请日：2015-02-05
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 村田贤志
Abstract: 本发明提供一种电子光学装置、电子光学装置的制造方法、电子设备。所述显示装置为配置有多个像素的显示装置，其特征在于，像素具有在Z方向上依次层叠的反射层、光学距离调整层、像素电极、绝缘膜、发光功能层、对置电极，绝缘膜具有与像素电极的一部分重叠的开口，反射层以跨及多个像素的方式而被配置，且具有反射率较高的部分(第一基底膜与反射膜层叠的部分)、反射率较低的部分(第二基底膜与反射膜层叠的部分)，反射率较高的部分(第一基底膜与反射膜层叠的部分)以在俯视观察时与开口的至少一部分重叠的方式而被配置。
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公开(公告)号：CN106098732B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201610270948.8
申请日：2016-04-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 村田贤志
Abstract: 本发明提供一种电光装置及其制造方法、电子设备。电光装置的特征在于，包括：显示区域(E)，其包括具有沟槽密度D1的元件分离区域(88)并配置有像素电路(110)；驱动电路区域(105)，其包括设置有具有沟槽密度D2的驱动电路元件分离部的区域并配置有驱动电路(101、102)；周边区域(106)，其包括设置有具有沟槽密度D3的周边元件分离部的区域并至少被配置在显示区域(E)与驱动电路区域(105)之间，沟槽密度D1与沟槽密度D2不同，沟槽密度D1与沟槽密度D3相等。
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公开(公告)号：CN104078422A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410117756.4
申请日：2014-03-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/3211 , H01L51/5036 , H01L51/5218 , H01L51/5256 , H01L51/5262 , H01L51/5265 , H01L51/5271 , H01L2227/323 , H01L2251/5315 , H01L2251/558
Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光装置的制造方法，其特征在于，包括：在第一绝缘层之上形成第三绝缘层的工序；通过对第三绝缘层进行蚀刻，从而去除第一像素区域的第三绝缘层的工序；在以连续覆盖第一反射膜以及第二反射膜的方式而形成了前驱体绝缘层之后，通过对前驱体绝缘层的上表面进行平坦化处理，从而在第一像素与第二像素中具有分别不同的膜厚，并且，形成具有作为平坦面的第一面的第二绝缘层的工序；在第二绝缘层的第一面之上形成第一像素电极以及第二像素电极的像素电极形成工序，其中，第一绝缘层与第三绝缘层相比，通过蚀刻而被去除的速度较慢。
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