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公开(公告)号：CN100477237C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610153878.4
申请日：2006-09-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 石井达也
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136227
Abstract: 本发明的电光装置，使保持电容大，可进行高质量的图像显示，在基板上，具备：相互进行交叉的多条扫描线及多条数据线；对应于多条扫描线和多条数据线的交叉处所设置的多个像素电极；和叠层有一对电极及电介质膜的存储电容。还具备：由设置于贯通一对电极的一方及电介质膜而开口的开口部的内侧壁上的第1绝缘膜所构成的侧壁；和从一对电极的另一方看，相对于前述一方配置于相反侧，通过与侧壁自对准性地同时形成、被侧壁所包围的自对准接触孔，而与另一方电连接的第1导电膜。
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公开(公告)号：CN101115333A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710139022.6
申请日：2007-07-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 石井达也
IPC: H05B33/14 , H05B33/26 , G02F1/13357
CPC classification number: H01L29/78633 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/42384 , H01L29/78621
Abstract: 本发明的电光装置，使液晶装置等的电光装置的显示性能提高，具备TFT(30)，其在TFT阵列基板(10)上，设置于互相隔开多个像素的各自的开口区域的非开口区域，包括具有以下区域的半导体层(1a)：具有沿Y方向的沟道长的沟道区域(1a’)，数据线侧源漏区域(1d)，像素电极侧源漏区域(1e)，数据线侧LDD区域(1b)及像素电极侧LDD区域(1c)。进而，还具备存储电容(70a)，其形成于比半导体层(1a)上层侧，具有覆盖数据线侧LDD区域(1b)的第1部分(301)，和覆盖像素电极侧LDD区域(1c)并且X方向的宽度比第1部分(301)宽的第2部分(302)。
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公开(公告)号：CN101002245A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200580026981.6
申请日：2005-08-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G09G3/00
Abstract: 提供了一种电光装置基板及其检测方法，其能够在无需使探测器从外部与其相接触的情况下以令人满意的测量精度实现检测。本发明的基板1包括穿过多个开关元件的视频线7和传输门部分6，从而将第一电势信号通过信号线写入多个像素中。该基板1还包括具有差分放大器4a的显示数据读取电路部分4，从而降低较低电势并且提高较高电势，并且将其输出到信号线和传输门部分6和视频线7，从而读取第一电势信号和基准第二电势信号。
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公开(公告)号：CN1933166A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610153878.4
申请日：2006-09-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 石井达也
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136227
Abstract: 本发明的电光装置，使保持电容大，可进行高质量的图像显示，在基板上，具备：相互进行交叉的多条扫描线及多条数据线；对应于多条扫描线和多条数据线的交叉处所设置的多个像素电极；和叠层有一对电极及电介质膜的存储电容。还具备：由设置于贯通一对电极的一方及电介质膜而开口的开口部的内侧壁上的第1绝缘膜所构成的侧壁；和从一对电极的另一方看，相对于前述一方配置于相反侧，通过与侧壁自对准性地同时形成、被侧壁所包围的自对准接触孔，而与另一方电连接的第1导电膜。
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公开(公告)号：CN1794070A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510132346.8
申请日：2005-12-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 石井达也
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/006
Abstract: 不必使来自外部的探针进行接触等而实现得到充分的测定精度的检查。本发明的电光装置用基板，其特征在于，具备：相互交叉的多条扫描线和多条信号线；与上述多条扫描线和上述多条信号线的交叉对应地配置成矩阵状的多个像素电极；放大器，该放大器具备与上述信号线电连接的输入被供给上述像素电极的第1电位信号的第1端子、以及输入作为参考电位的第2电位信号的第2端子，并且被设置成，比较上述第1电位信号和上述第2电位信号的电位，当上述第1电位信号低时则使上述第1端子的电位进一步降低、而当上述第1电位信号高时则使上述第1端子的电位进一步增高地输出，并且，使上述多条信号线之中的指定的多条信号线与上述第1和第2端子中的至少一方对应；选择上述对应的指定的多条信号线之中的1条信号线的选择单元；以及将该被选择的信号线电连接到上述放大器的上述第1和第2端子中的至少一方上的连接单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102103289A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010595873.3
申请日：2010-12-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 石井达也
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1362 , G09G3/36
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/136277
Abstract: 本发明提供电光装置和电子设备，能例如提高各像素中的光透射率、显示明亮且高品质的图像。电光装置具备：元件基板(10)；像素电极(9)，设置于元件基板；半导体元件(30)，形成于元件基板的至少一部分；以及光反射部(210)，包括在上述元件基板的至少一部分所形成的槽(210v)；半导体元件配置为，在元件基板上俯视时和光反射部相互重叠，并且配置于以至少覆盖槽的开口部的方式设置的平坦化膜(211)上。
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公开(公告)号：CN100476909C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200580026981.6
申请日：2005-08-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G09G3/00
Abstract: 提供了一种电光装置基板及其检测方法，其能够在无需使探测器从外部与其相接触的情况下以令人满意的测量精度实现检测。本发明的基板1包括穿过多个开关元件的视频线7和传输门部分6，从而将第一电势信号通过信号线写入多个像素中。该基板1还包括具有差分放大器4a的显示数据读取电路部分4，从而降低较低电势并且提高较高电势，并且将其输出到信号线和传输门部分6和视频线7，从而读取第一电势信号和基准第二电势信号。
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公开(公告)号：CN101246290A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810005554.5
申请日：2008-02-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/84
CPC classification number: H01L29/78621 , G09G3/3648 , G09G2300/0439 , G09G2300/0465 , G09G2320/0214 , H01L27/124 , H01L29/42384
Abstract: 本发明提供电光装置用基板、其制造方法、电光装置及电子设备。能在电光装置中实现较高的开口率，并有效降低TFT中光泄漏电流的发生，且实现显示图像的高清晰化。电光装置用基板具备具有栅电极(3a)的TFT(30)，栅电极(3a)具有：主体部(31a)，在配置为覆盖半导体层(1a)的绝缘膜(202)的开口部(202h)内相对沟道区域(1a′)通过栅绝缘膜(2)来配置；和延伸设置部(32a)，覆盖像素电极侧LDD区域(1c)地从该主体部(31a)延伸设置到绝缘膜(202)上；像素电极侧LDD区域(1c)位于非开口区域(99b)中的第1区域(99ba)及第2区域(99bb)相互交叉的交叉区域(99cr)。
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公开(公告)号：CN102103289B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201010595873.3
申请日：2010-12-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 石井达也
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1362 , G09G3/36
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/136277
Abstract: 本发明提供电光装置和电子设备，能例如提高各像素中的光透射率、显示明亮且高品质的图像。电光装置具备：元件基板(10)；像素电极(9)，设置于元件基板；半导体元件(30)，形成于元件基板的至少一部分；以及光反射部(210)，包括在上述元件基板的至少一部分所形成的槽(210v)；半导体元件配置为，在元件基板上俯视时和光反射部相互重叠，并且配置于以至少覆盖槽的开口部的方式设置的平坦化膜(211)上。
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公开(公告)号：CN100547472C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200610146737.X
申请日：2006-11-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 石井达也
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L29/42384 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 本发明的电光装置减少具有LDD结构的晶体管的光漏电流。第2栅电极(3a2)使用金属硅化物等的导电材料，平面看上去覆盖低浓度源区域(1b)及低浓度漏区域(1c)地设置到第1栅电极(3a1)之上。因而，TFT(30)的栅电极具有包括第1栅电极(3a1)及第2栅电极(3a2)的多层结构。第2栅电极(3a2)进行遮光，以便从背光源等光源所照射的入射光不照射到低浓度源区域(1b)及低浓度漏区域(1c)。据此，来减少在低浓度源区域(1b)及低浓度漏区域(1c)流通的光漏电流。
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