公开(公告)号：CN1149420C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN97190106.6

申请日：1997-02-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 横山修 ,  下田达也 ,  宫下悟 ,  藤森裕司 ,  跡部光朗 ,  青山拓 ,  舟本达昭

IPC: G02B26/08

CPC classification number: H04N9/3114 ,  G02B26/0858 ,  G09F9/372 ,  H04N5/7458

Abstract: 本发明的目的在于提供对比度高的、而且可显示明亮的图象的光调制装置、显示装置和电子设备。根据本发明的一种光调制装置，其特征在于具有：基板；光调制结构，形成于基板上，上述光调制结构具有镜单元，其中具有压电性质的压电薄膜层夹在各具有导电性质的薄膜电极层之间，而至少一个薄膜电极层具有反光性；和基板除去部，在基板上邻接各个镜单元形成，上述基板除去部用作基板上的一光通路；光调制结构以各个镜单元为基础而被驱动，每个镜单元独立地对光线进行调制工作。

公开(公告)号：CN100468824C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200510009200.4

申请日：2002-01-25

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 跡部光朗 ,  纸透真一 ,  黑泽龙一 ,  四谷真一

IPC: H01L51/56 ,  H05B33/00 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L21/0337 ,  C23C14/042 ,  C23C14/12 ,  H01L21/0332 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0011

Abstract: 本发明的课题是，提供一种对构成有机EL元件的像素的薄膜图形能以对应于高精细像素的精度成膜的掩模。根据本发明的一种掩模，用于在被成膜面上按照规定图形形成薄膜，具有对应于上述图形的开口部，其特征在于：该掩模由单晶硅构成，上述开口部的尺寸在掩模的厚度方向规定位置即边界位置处对应于上述图形的尺寸，从上述边界位置朝向两个掩模面比上述图形增大，从上述边界位置到各掩模面的距离不同。

公开(公告)号：CN1642374A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200510009200.4

申请日：2002-01-25

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 跡部光朗 ,  纸透真一 ,  黑泽龙一 ,  四谷真一

IPC: H05B33/10 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01L21/0337 ,  C23C14/042 ,  C23C14/12 ,  H01L21/0332 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0011

Abstract: 本发明的课题是，提供一种对构成有机EL元件的像素的薄膜图形能以对应于高精细像素的精度成膜的掩模。根据本发明的一种掩模，用于在被成膜面上按照规定图形形成薄膜，具有对应于上述图形的开口部，其特征在于：该掩模由单晶硅构成，上述开口部的尺寸在掩模的厚度方向规定位置即边界位置处对应于上述图形的尺寸，从上述边界位置朝向两个掩模面比上述图形增大，从上述边界位置到各掩模面的距离不同。

公开(公告)号：CN1367636A

公开(公告)日：2002-09-04

申请号：CN02102774.9

申请日：2002-01-25

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 跡部光朗 ,  纸透真一 ,  黑泽龙一 ,  四谷真一

IPC: H05B33/10 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  C23C14/042 ,  C23C14/12 ,  H01L21/0332 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0011

Abstract: 本发明的课题是,提供一种对构成有机EL元件的像素的薄膜图形能以对应于高精细像素的精度成膜的掩模。采用面取向为(100)的硅晶片(单晶硅衬底)1,通过利用了与晶向有依赖性的各向异性湿法刻蚀,形成其壁面11a的面取向为(111)的贯通孔,作为对应于所形成的薄膜图形的开口部。

公开(公告)号：CN1221012C

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN02102774.9

申请日：2002-01-25

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 跡部光朗 ,  纸透真一 ,  黑泽龙一 ,  四谷真一

IPC: H01L21/027 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L21/0337 ,  C23C14/042 ,  C23C14/12 ,  H01L21/0332 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0011

Abstract: 本发明的课题是，提供一种对构成有机EL元件的像素的薄膜图形能以对应于高精细像素的精度成膜的掩模。根据本发明的一种掩模，用于在被成膜面上按照规定图形形成薄膜，具有对应于上述图形的开口部，其特征在于：该掩模由单晶硅构成，上述开口部的尺寸在掩模的厚度方向规定位置即边界位置处对应于上述图形的尺寸，从上述边界位置朝向两个掩模面比上述图形增大，从上述边界位置到各掩模面的距离不同。

公开(公告)号：CN1180417A

公开(公告)日：1998-04-29

申请号：CN97190106.6

申请日：1997-02-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 横山修 ,  下田达也 ,  宫下悟 ,  藤森裕司 ,  跡部光朗 ,  青山拓 ,  舟本达昭

IPC: G02B26/08

CPC classification number: H04N9/3114 ,  G02B26/0858 ,  G09F9/372 ,  H04N5/7458

Abstract: 本发明的目的在于提供对比度高的、而且可显示明亮的图象的光调制装置、显示装置和电子设备。该光调制装置的特征在于:在基板上备有用具有导电性的电极薄膜12、14夹住具有压电性的压电薄膜13的光调制结构,所述电极薄膜12、14中至少一个具有光反射性,所述光调制结构可对各个分别独立地对光进行调制的单位、即镜单元15进行驱动。