陀螺仪传感器和电子设备

    公开(公告)号:CN102788576B

    公开(公告)日:2015-10-14

    申请号:CN201210153320.1

    申请日:2012-05-17

    Inventor: 金本启

    CPC classification number: G01C19/574 G01C19/5733

    Abstract: 本发明的目的在于,提供实现了小型化的陀螺仪传感器和电子设备。本发明的陀螺仪传感器(10)的特征在于,该陀螺仪传感器具有:第1质量部(40),其具有第1检测部(42);第2质量部(20),其具有第2检测部(22);第1驱动部(70a、70b),其使所述第1质量部(40)在第1轴的方向上振动;以及力转换部(80),其利用锚部(90)固定,所述第1质量部(40)和所述第2质量部(20)利用所述力转换部(80)连接,所述力转换部(80)以所述锚部(90)为轴进行移位,使所述第2质量部(20)在平面视图中与所述第1轴交叉的第2轴的方向上振动。

    物理量传感器以及电子设备

    公开(公告)号:CN102313821A

    公开(公告)日:2012-01-11

    申请号:CN201110141002.9

    申请日:2011-05-27

    Inventor: 金本启

    Abstract: 物理量传感器以及电子设备,能够抑制物理量传感器的检测灵敏度因在检测轴以外的方向上产生的加速度而下降。具有第1摆动体(300a)和第2摆动体(300b),各摆动体(300a、300b)由第1支撑部(40a)和第2支撑部(40b)支撑在基板上,在平面视图中,第1摆动体被第1轴(支撑轴)(Q1)划分为第1区域(PT1)和第2区域(PT2)、第2摆动体被第2轴(支撑轴)(Q2)划分为第3区域(PT2)和第4区域(PT1),第2区域的质量比第1区域大,第4区域的质量比第3区域大,第1区域和第2区域的排列方向与第3区域和第4区域的排列方向相反,在受到重力的状态下,第1摆动体和第2摆动体朝彼此相反的方向倾斜。

    半导体基板的制造方法以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN100419954C

    公开(公告)日:2008-09-17

    申请号:CN200610107801.3

    申请日:2006-07-21

    Inventor: 金本启

    CPC classification number: H01L21/7624 H01L21/84

    Abstract: 本发明的半导体基板的制造方法是,在Si基板(1)上形成SiGe层,在SiGe层上形成蚀刻选择比小于SiGe层的Si层(5)。接着,在Si层(5)以及SiGe层形成使Si基板(1)露出的孔,并以嵌入孔且覆盖Si层(5)的方式,在Si基板(1)上形成SiO2膜(11)。然后,在SiO2膜(11)形成使SiGe层(3)端部的一部分露出的开口面。接着,通过经由开口面对SiGe层进行蚀刻,在Si层(5)与Si基板(1)之间形成空洞部(21)。进而,经由开口面对空洞部(21)内进行APM清洗。之后,在空洞部(21)内形成嵌入氧化膜(31)。本发明提供能够防止由空洞部内的残渣引起设备特性劣化的半导体基板的制造方法、以及半导体装置的制造方法。

    半导体装置及其半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN1964046A

    公开(公告)日:2007-05-16

    申请号:CN200610146311.4

    申请日:2006-11-09

    Inventor: 金本启 冈秀明

    Abstract: 以避开P阱(2)及N阱(12)的方式在半导体基板(1)上配置SOI形成区域(R1、R11),且在P阱(2)及N阱(12)分别配置块状区域(R2、R12),在SOI形成区域(R1、R11)分别形成N沟道场效应型SOI晶体管及P沟道场效应型SOI晶体管,在块状区域(R2、R12)分别形成N沟道场效应型块状晶体管及P沟道场效应型块状晶体管。降低形成在埋入绝缘层上的半导体层的结晶缺陷,且在同一基板上形成SOI结构和块状结构。

    物理量传感器、惯性测量装置、电子设备以及移动体

    公开(公告)号:CN109668554A

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201811197971.4

    申请日:2018-10-15

    Abstract: 本发明提供物理量传感器、惯性测量装置、电子设备以及移动体,能够减少相对于作为检测对象的物理量以外的物理量的影响,并能够高精度地检测作为检测对象的物理量。本发明的物理量传感器具备:基板;第一检测电极,具备第一电极指;第一弹簧,将所述第一检测电极支承为相对于所述基板能够沿第一方向位移;第二检测电极,具备在所述第一方向上与所述第一电极指隔开间隔而配置的第二电极指;以及第二弹簧,将所述第二检测电极支承为相对于所述基板能够沿所述第一方向位移,所述第一弹簧的所述第一方向上的弹簧常数与所述第二弹簧的所述第一方向上的弹簧常数相等。

    功能元件、电子器件、电子设备和移动体

    公开(公告)号:CN104807453B

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201510043596.8

    申请日:2015-01-28

    Inventor: 金本启 古畑诚

    CPC classification number: G05D19/02 H04M2250/00

    Abstract: 本发明提供功能元件、电子器件、电子设备和移动体。能够防止由振动泄漏现象引起的倾斜振动传递到检测部而导致检测精度下降。作为功能元件的陀螺元件具有:支承体;检测部,其与支承体连接,检测第1轴方向的振动;驱动连结部,其具有第1部分和第2部分,第1部分与支承体连接,在第1轴方向上延伸,第2部分与第1部分连接,比第1部分的第1轴方向的尺寸短,在第2轴方向上延伸;以及质量部,其与驱动连结部连接,经由驱动连结部与支承体连接,质量部在与包含相互正交的第1轴和第2轴的面的法线平行的第3轴方向上进行驱动振动。

    物理量传感器以及电子设备

    公开(公告)号:CN102313821B

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201110141002.9

    申请日:2011-05-27

    Inventor: 金本启

    Abstract: 物理量传感器以及电子设备,能够抑制物理量传感器的检测灵敏度因在检测轴以外的方向上产生的加速度而下降。具有第1摆动体(300a)和第2摆动体(300b),各摆动体(300a、300b)由第1支撑部(40a)和第2支撑部(40b)支撑在基板上,在平面视图中,第1摆动体被第1轴(支撑轴)(Q1)划分为第1区域(PT1)和第2区域(PT2)、第2摆动体被第2轴(支撑轴)(Q2)划分为第3区域(PT2)和第4区域(PT1),第2区域的质量比第1区域大,第4区域的质量比第3区域大,第1区域和第2区域的排列方向与第3区域和第4区域的排列方向相反,在受到重力的状态下,第1摆动体和第2摆动体朝彼此相反的方向倾斜。

    陀螺仪传感器和电子设备

    公开(公告)号:CN102788576A

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201210153320.1

    申请日:2012-05-17

    Inventor: 金本启

    CPC classification number: G01C19/574 G01C19/5733

    Abstract: 本发明的目的在于,提供实现了小型化的陀螺仪传感器和电子设备。本发明的陀螺仪传感器(10)的特征在于,该陀螺仪传感器具有:第1质量部(40),其具有第1检测部(42);第2质量部(20),其具有第2检测部(22);第1驱动部(70a、70b),其使所述第1质量部(40)在第1轴的方向上振动;以及力转换部(80),其利用锚部(90)固定,所述第1质量部(40)和所述第2质量部(20)利用所述力转换部(80)连接,所述力转换部(80)以所述锚部(90)为轴进行移位,使所述第2质量部(20)在平面视图中与所述第1轴交叉的第2轴的方向上振动。

    陀螺仪传感器、电子设备以及移动体

    公开(公告)号:CN108458702A

    公开(公告)日:2018-08-28

    申请号:CN201810125332.0

    申请日:2018-02-07

    Abstract: 本发明提供一种陀螺仪传感器、电子设备以及移动体,所述陀螺仪传感器包括:基板;第一驱动部;以及第一检测部和第二检测部,检测角速度,所述第一检测部具有:第一可动体,具备通过所述第一驱动部的振动而振动,并根据角速度发生位移的第一可动电极;以及第一固定电极,固定于所述基板,并与所述第一可动电极相对,所述第二检测部具有:第二可动体,具备通过所述第一驱动部的振动而振动,并根据角速度发生位移的第二可动电极;以及第二固定电极,固定于所述基板,并与所述第二可动电极相对,所述第一可动体和所述第二可动体通过第一连结部连结。

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