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公开(公告)号：CN107103918B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201710224149.1
申请日：2012-10-31
Applicant: 索尼公司
Abstract: 本发明涉及一种存储元件，该存储元件包括：存储层，包括根据信息而变化的磁化方向；磁化固定层，包括固定的磁化方向；以及中间层，包含非磁性材料、设置在所述存储层与所述磁化固定层之间，其中，所述磁化固定层包括将耦合层介入其间而层压的至少第一铁磁层和第二铁磁层，所述第一铁磁层的磁化方向与所述第二铁磁层的磁化方向不同。
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公开(公告)号：CN104662654B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201380049226.4
申请日：2013-08-22
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L21/8246 , G11B5/39 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC classification number: G11C11/161 , G11B5/3909 , G11C2213/35 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 提供一种TMR特性能得到改进的存储单元、配备有存储单元的存储装置、以及磁头。存储单元具有层状结构，该层状结构包括：存储层，其中磁化方向与信息对应地改变；磁化固定层，具有与膜表面垂直、作为存储层中存储的信息的基准的磁化；以及中间层，设置在存储层与磁化固定层之间并由非磁性材料制成。碳被插入中间层，并且沿着层状结构的堆叠方向提供电流使得改变存储层中的磁化方向以将信息记录在存储层。
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公开(公告)号：CN102800804B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201210152766.2
申请日：2012-05-16
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/161 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了存储元件和存储装置，该存储元件包含：存储层，其通过磁性材料的磁化状态保持信息；具有磁化的磁化固定层，该磁化被用作存储在存储层中的信息的基础；非磁性物质的中间层，设置在存储层和磁化固定层之间。存储元件被构造为，通过使用自旋扭矩磁化反转使存储层的磁化进行反转来存储信息，自旋扭矩磁化反转通过电流在包含存储层、中间层和磁化固定层的层结构的层压方向上流动而产生，在存储层的饱和磁化和厚度分别由Ms（emu/cc）和t（nm）表示时，（1489/Ms）-0.593
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公开(公告)号：CN103959407B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201280057911.7
申请日：2012-11-19
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L43/02 , H01L43/08
Abstract: 一种存储元件，包括：磁化固定层和磁化自由层。所述磁化固定层包括与形成在每对相邻的铁磁层之间的耦合层层压在一起的多个铁磁层。所述铁磁层的磁化方向相对于所述磁化固定层的磁化方向倾斜。
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公开(公告)号：CN102403038B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201110253669.8
申请日：2011-08-30
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了存储元件和存储器件。该存储元件，包括具有垂直于膜面的磁化且其磁化方向对应于信息而改变的存储层；具有垂直于膜面且成为存储在存储层中的信息的基准的磁化的磁化固定层；设置在该存储层和该磁化固定层之间并由非磁性层构成的绝缘层，其中，沿具有该存储层、该绝缘层和该磁化固定层的层结构的层压方向注入自旋极化电子，从而磁化方向改变，并对该存储层执行信息的记录，该存储层接收的有效抗磁场的强度小于该存储层的饱和磁化量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102916126A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210260559.9
申请日：2012-07-25
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/10
Abstract: 本发明涉及存储元件和存储装置，其中，该存储元件包括：存储层，根据磁体的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有用作被存储在存储层中的信息的基准的磁化；以及绝缘层，由被设置在存储层与磁化固定层之间的非磁体形成，其中，通过利用伴随在存储层、绝缘层以及磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流发生的自旋扭矩磁化反转来反转存储层的磁化来存储信息，并且存储层的尺寸小于磁化的方向被同时改变的尺寸。
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公开(公告)号：CN102800803A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210152403.9
申请日：2012-05-16
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L27/222 , H01L27/226 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种存储元件和存储装置。其中，该存储元件包括：存储层，具有垂直于其膜面的磁化，并通过磁性物质的磁化状态保持信息；磁化钉扎层，具有被用作存储在存储层中的信息的基准的、垂直于其膜面的磁化；非磁性物质中间层，设置在存储层和磁化钉扎层之间；以及帽层，设置在存储层附近并且与中间层相反的一侧，并且包括至少两个氧化物层。该存储元件被配置为，通过使用在包括存储层、中间层和磁化钉扎层的层结构的层压方向上流动的电流所产生的自旋扭矩磁化反转来反转存储层的磁化从而存储信息。
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公开(公告)号：CN106953005B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201611035933.X
申请日：2012-07-25
Applicant: 索尼公司
Abstract: 本发明涉及磁性元件和存储装置，其中，该磁性元件包括：自由磁化层，根据磁体的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有用作被存储在存储层中的信息的基准的磁化；以及绝缘层，由被设置在存储层与磁化固定层之间的非磁体形成，其中，通过利用伴随在自由磁化层、绝缘层以及磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流发生的自旋扭矩磁化反转来反转存储层的磁化来存储信息，并且存储层的尺寸小于磁化的方向被同时改变的尺寸。
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公开(公告)号：CN103988293B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201280057912.1
申请日：2012-10-31
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L21/8246 , G11B5/39 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC classification number: G11C11/161 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , G11C11/15 , G11C11/155 , G11C11/1675 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F10/3272 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08
Abstract: 【问题】提供一种能够在短时间内执行写操作而不产生写入错误的存储元件和存储装置。【解决方案】该存储元件被配置为具有层状结构，该层状结构包括：存储层，其磁化方向根据信息而变化；磁化固定层，其磁化方向是固定的；以及中间层，设置在存储层与磁化固定层之间、由非磁性体产生。磁化固定层分层为在其间具有耦合层的至少两个铁磁层，该两个铁磁层经由耦合层磁耦合。该两个铁磁层的磁化方向从膜表面的垂直方向倾斜。通过这种配置，可以有效地抑制存储层的磁化方向与固定磁化层的磁化方向变得粗略平行或反平行所产生的磁化反转时间的分散，并且可以减少写入错误以及支持短时间的写入。
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公开(公告)号：CN102790171B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210143618.4
申请日：2012-05-09
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L43/08
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L43/08 , Y10S977/933 , Y10S977/935
Abstract: 本发明公开了存储元件和存储装置，该存储元件包括存储层，利用磁性物质的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有用作存储在存储层中的信息的基准的磁化；中间层，设置于存储层和磁化固定层之间并且由非磁性物质形成；磁性耦合层，被设置为邻接于磁化固定层并且与中间层相对；以及高矫顽力层，被设置为邻接于磁性耦合层，其中，通过利用伴随着在包括存储层、中间层和磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流所产生的自旋扭矩磁化反转，使存储层的磁化反转来存储信息，以及磁性耦合层为两层层压结构。
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