数据处理装置、数据处理方法和程序

    公开(公告)号:CN112740275B

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN201980061594.8

    申请日:2019-09-27

    Abstract: 本技术涉及一种能够获得适当的帧数据的图像数据处理装置、图像数据处理方法和程序。帧数据生成单元生成:第一帧数据,其基于事件数据,事件数据指示进行光电转换并生成电气信号的像素的电气信号的变化,并且事件数据在从第一帧生成开始时刻到第一帧生成结束时刻的第一累积时间内发生;和第二帧数据,其基于从第二帧生成开始时刻到第二帧生成结束时刻的第二累积时间内发生的事件数据。设定第一帧周期并将第一帧周期提供给帧数据生成单元,第一帧周期是从第一帧生成的开始到第二帧生成的开始的周期。例如,当根据从动态视觉传感器(DVS:Dynamic Vision Sensor)输出的事件数据来生成帧数据时,本技术可以适用。

    数据处理装置、数据处理方法和程序

    公开(公告)号:CN112740275A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN201980061594.8

    申请日:2019-09-27

    Abstract: 本技术涉及一种能够获得适当的帧数据的图像数据处理装置、图像数据处理方法和程序。帧数据生成单元生成:第一帧数据,其基于事件数据,事件数据为进行光电转换并生成电气信号的像素的电气信号的变化,并且事件数据在从第一帧生成开始时刻到第一帧生成结束时刻的第一累积时间内发生;和第二帧数据,其基于从第二帧生成开始时刻到第二帧生成结束时刻的第二累积时间内发生的事件数据。设定第一帧周期并将第一帧周期提供给帧数据生成单元,第一帧周期是从第一帧生成的开始到第二帧生成的开始的周期。例如,当根据从动态视觉传感器(DVS:Dynamic Vision Sensor)输出的事件数据来生成帧数据时,本技术可以适用。

    固态成像装置
    3.
    发明公开
    固态成像装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN119547452A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202380053276.3

    申请日:2023-06-22

    Inventor: 本田元就

    Abstract: [问题]在相同定时并且还以高分辨率获取亮度信息和亮度变化信息。[解决方案]该固态成像装置包括多个像素和控制电路。多个像素的每一个包括:光电转换元件,用于将光电转换应用于入射光以生成电信号;第一像素电路,用于将电信号转换成第一信息;以及第二像素电路,用于将电信号转换成第二信息。控制电路针对多个像素中的每一个执行将光电转换元件连接至第一像素电路和第二像素电路中的任一个的控制。

    事件信号检测传感器和控制方法

    公开(公告)号:CN113396579A

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN202080011686.8

    申请日:2020-02-07

    Abstract: 本发明涉及一种事件信号检测传感器和一种控制方法,被配置为能够减小等待时间并抑制对物体的忽视。多个像素电路检测作为通过执行光电转换并生成电信号的像素的电信号的变化的事件,并输出指示发生事件的事件数据。检测概率设置单元:根据图案识别的识别结果,针对一个或多个像素电路形成的每个区域单元计算检测事件的每单位时间的检测概率;并且根据检测概率控制像素电路以便输出事件数据。本发明可以应用于事件信号检测传感器,检测作为像素的电信号的变化的事件。

    事件信号检测传感器和控制方法

    公开(公告)号:CN113396579B

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202080011686.8

    申请日:2020-02-07

    Abstract: 本发明涉及一种事件信号检测传感器和一种控制方法,被配置为能够减小等待时间并抑制对物体的忽视。多个像素电路检测作为通过执行光电转换并生成电信号的像素的电信号的变化的事件,并输出指示发生事件的事件数据。检测概率设置单元:根据图案识别的识别结果,针对一个或多个像素电路形成的每个区域单元计算检测事件的每单位时间的检测概率;并且根据检测概率控制像素电路以便输出事件数据。本发明可以应用于事件信号检测传感器,检测作为像素的电信号的变化的事件。

    存储元件和存储装置
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102157526B

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201010576654.0

    申请日:2010-12-07

    Applicant: 索尼公司

    Abstract: 本发明提供了存储元件和存储装置,它们能够减小多个存储元件的在初始状态或擦除状态下的电阻值差异,并且对于多次写入/擦除操作能够保持写入/擦除状态下的电阻值。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。所述存储层具有:离子源层,它含有碲(Te)、硫(S)、硒(Se)这些硫族元素中的至少一者,并含有选自于铜(Cu)、银(Ag)、锌(Zn)和锆(Zr)的至少一种金属元素;以及两个以上高电阻层,它们的电阻值高于所述离子源层的电阻值,并且具有不同的成分。所述存储装置包括脉冲施加部和多个上述存储元件,所述脉冲施加部选择性地向这些存储元件施加电压或电流的脉冲。本发明的存储元件和存储装置改善了多次写入/擦除操作时的电阻值保持特性。

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