公开(公告)号：CN102157526B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201010576654.0

申请日：2010-12-07

Applicant: 索尼公司

Inventor： 前坂明弘 ,  大场和博 ,  水口彻也 ,  宫田幸児 ,  本田元就 ,  荒谷胜久

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L45/085 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608

Abstract: 本发明提供了存储元件和存储装置，它们能够减小多个存储元件的在初始状态或擦除状态下的电阻值差异，并且对于多次写入/擦除操作能够保持写入/擦除状态下的电阻值。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。所述存储层具有：离子源层，它含有碲(Te)、硫(S)、硒(Se)这些硫族元素中的至少一者，并含有选自于铜(Cu)、银(Ag)、锌(Zn)和锆(Zr)的至少一种金属元素；以及两个以上高电阻层，它们的电阻值高于所述离子源层的电阻值，并且具有不同的成分。所述存储装置包括脉冲施加部和多个上述存储元件，所述脉冲施加部选择性地向这些存储元件施加电压或电流的脉冲。本发明的存储元件和存储装置改善了多次写入/擦除操作时的电阻值保持特性。

公开(公告)号：CN102629486A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201210022355.1

申请日：2012-02-01

Applicant: 索尼公司

Inventor： 本田元就

IPC: G11C11/02 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/79

Abstract: 本发明公开了一种存储装置及其操作方法。所述存储装置包括存储元件和驱动部，在用于将所述存储元件的电阻状态从一个电阻状态变为另一个电阻状态的第一操作与用于将所述存储元件的电阻状态从所述另一个电阻状态变为所述一个电阻状态的第二操作中，在执行所述第一操作中，所述驱动部进行步进操作，在所述步进操作中，所述驱动部反复进行至少一次如下步骤：进行强加载步骤并随后进行弱加载步骤，所述强加载步骤用来施加用于对所述存储元件相对强地进行所述第一操作的加载，所述弱加载步骤用来施加用于对所述存储元件相对弱地进行所述第二操作的加载，并且接着进行所述强加载步骤。根据本发明，能够改善存储装置的长期可靠性。

公开(公告)号：CN102446922A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110302109.7

申请日：2011-10-08

Applicant: 索尼公司

Inventor： 角野润 ,  本田元就

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/1246 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供了非易失性存储元件组、非易失性存储元件及其制造方法，所述非易失性存储元件组包括：(A)第一绝缘层；(B)第二绝缘层，其具有第一凹部以及与第一凹部连通的第二凹部，且第二凹部的宽度大于第一凹部的宽度，并且第二绝缘层布置于第一绝缘层上；(C)多个电极，它们布置于第一绝缘层中，并且多个电极的顶面从第一凹部的底面露出；(D)信息存储层，其形成于第一凹部和第二凹部的侧壁和底面上；以及(E)导电材料层，其填充在由第二凹部中的信息存储层围成的空间中。本发明可避免由于图形化而对信息存储层造成损伤。此外，可避免膜的剥落。还可简化制造工艺。

公开(公告)号：CN107615485A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680031909.0

申请日：2016-05-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 本田元就

IPC: H01L27/14 ,  G02B5/20 ,  G02B5/30 ,  H04N5/369 ,  H04N9/07

CPC classification number: G02B5/20 ,  G02B5/30 ,  H01L27/14 ,  H04N5/369 ,  H04N9/07

Abstract: 本技术涉及能够提高偏光信息和颜色信息的检测精度的固态成像装置和电子设备。固态成像装置包括像素阵列部，所述像素阵列部设置有用于检测偏光信息的多个偏光像素和用于检测颜色信息的多个彩色像素，偏光像素沿行方向和列方向布置成格子形式，彩色像素在从偏光像素沿行方向和列方向偏移的位置处在相邻的偏光像素之间沿行方向和列方向布置成格子形式。本技术例如可以适用于固态成像装置。

公开(公告)号：CN102446922B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201110302109.7

申请日：2011-10-08

Applicant: 索尼公司

Inventor： 角野润 ,  本田元就

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/1246 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供了非易失性存储元件组、非易失性存储元件及其制造方法，所述非易失性存储元件组包括：(A)第一绝缘层；(B)第二绝缘层，其具有第一凹部以及与第一凹部连通的第二凹部，且第二凹部的宽度大于第一凹部的宽度，并且第二绝缘层布置于第一绝缘层上；(C)多个电极，它们布置于第一绝缘层中，并且多个电极的顶面从第一凹部的底面露出；(D)信息存储层，其形成于第一凹部和第二凹部的侧壁和底面上；以及(E)导电材料层，其填充在由第二凹部中的信息存储层围成的空间中。本发明可避免由于图形化而对信息存储层造成损伤。此外，可避免膜的剥落。还可简化制造工艺。

公开(公告)号：CN105514114B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201610028977.3

申请日：2011-10-08

Applicant: 索尼公司

Inventor： 角野润 ,  本田元就

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/1246 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供了非易失性存储元件组、非易失性存储元件及其制造方法，所述非易失性存储元件组包括：(A)第一绝缘层；(B)第二绝缘层，其具有第一凹部以及与第一凹部连通的第二凹部，且第二凹部的宽度大于第一凹部的宽度，并且第二绝缘层布置于第一绝缘层上；(C)多个电极，它们布置于第一绝缘层中，并且多个电极的顶面从第一凹部的底面露出；(D)信息存储层，其形成于第一凹部和第二凹部的侧壁和底面上；以及(E)导电材料层，其填充在由第二凹部中的信息存储层围成的空间中。本发明可避免由于图形化而对信息存储层造成损伤。此外，可避免膜的剥落。还可简化制造工艺。

公开(公告)号：CN102157526A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201010576654.0

申请日：2010-12-07

Applicant: 索尼公司

Inventor： 前坂明弘 ,  大场和博 ,  水口彻也 ,  宫田幸児 ,  本田元就 ,  荒谷胜久

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L45/085 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608

Abstract: 本发明提供了存储元件和存储装置，它们能够减小多个存储元件的在初始状态或擦除状态下的电阻值差异，并且对于多次写入/擦除操作能够保持写入/擦除状态下的电阻值。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。所述存储层具有：离子源层，它含有碲(Te)、硫(S)、硒(Se)这些硫族元素中的至少一者，并含有选自于铜(Cu)、银(Ag)、锌(Zn)和锆(Zr)的至少一种金属元素；以及两个以上高电阻层，它们的电阻值高于所述离子源层的电阻值，并且具有不同的成分。所述存储装置包括脉冲施加部和多个上述存储元件，所述脉冲施加部选择性地向这些存储元件施加电压或电流的脉冲。本发明的存储元件和存储装置改善了多次写入/擦除操作时的电阻值保持特性。

公开(公告)号：CN112740275B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN201980061594.8

申请日：2019-09-27

Applicant: 索尼半导体解决方案公司 ,  索尼公司

Inventor： 本田元就 ,  海津俊

IPC: G06T7/254

Abstract: 本技术涉及一种能够获得适当的帧数据的图像数据处理装置、图像数据处理方法和程序。帧数据生成单元生成：第一帧数据，其基于事件数据，事件数据指示进行光电转换并生成电气信号的像素的电气信号的变化，并且事件数据在从第一帧生成开始时刻到第一帧生成结束时刻的第一累积时间内发生；和第二帧数据，其基于从第二帧生成开始时刻到第二帧生成结束时刻的第二累积时间内发生的事件数据。设定第一帧周期并将第一帧周期提供给帧数据生成单元，第一帧周期是从第一帧生成的开始到第二帧生成的开始的周期。例如，当根据从动态视觉传感器(DVS：Dynamic Vision Sensor)输出的事件数据来生成帧数据时，本技术可以适用。

公开(公告)号：CN107615485B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201680031909.0

申请日：2016-05-27

Applicant: 索尼公司

Inventor： 本田元就

IPC: H01L27/14 ,  G02B5/20 ,  G02B5/30 ,  H04N5/369 ,  H04N9/07

Abstract: 本技术涉及能够提高偏光信息和颜色信息的检测精度的固态成像装置和电子设备。固态成像装置包括像素阵列部，所述像素阵列部设置有用于检测偏光信息的多个偏光像素和用于检测颜色信息的多个彩色像素，偏光像素沿行方向和列方向布置成格子形式，彩色像素在从偏光像素沿行方向和列方向偏移的位置处在相邻的偏光像素之间沿行方向和列方向布置成格子形式。本技术例如可以适用于固态成像装置。

公开(公告)号：CN112740275A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201980061594.8

申请日：2019-09-27

Applicant: 索尼半导体解决方案公司 ,  索尼公司

Inventor： 本田元就 ,  海津俊

IPC: G06T7/254

Abstract: 本技术涉及一种能够获得适当的帧数据的图像数据处理装置、图像数据处理方法和程序。帧数据生成单元生成：第一帧数据，其基于事件数据，事件数据为进行光电转换并生成电气信号的像素的电气信号的变化，并且事件数据在从第一帧生成开始时刻到第一帧生成结束时刻的第一累积时间内发生；和第二帧数据，其基于从第二帧生成开始时刻到第二帧生成结束时刻的第二累积时间内发生的事件数据。设定第一帧周期并将第一帧周期提供给帧数据生成单元，第一帧周期是从第一帧生成的开始到第二帧生成的开始的周期。例如，当根据从动态视觉传感器(DVS：Dynamic Vision Sensor)输出的事件数据来生成帧数据时，本技术可以适用。