公开(公告)号：CN101123260B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200710138494.X

申请日：2007-08-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丰田基博 ,  荒井俊明

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/20 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1229 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种有源矩阵型显示装置及其制造方法，在该显示装置中像素电路使用多个薄膜晶体管形成，其中形成薄膜晶体管的沟道区域的薄半导体膜以不同的晶体状态制成。

公开(公告)号：CN101330023B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200810128852.3

申请日：2008-06-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丰田基博 ,  荒井俊明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法、使用该薄膜晶体管的显示器。该薄膜晶体管的制造方法包括步骤：在绝缘基板上顺序形成栅电极、栅绝缘膜和非晶硅膜；仅在该非晶硅膜的将用作沟道区的区域中形成沟道保护膜；以及在该沟道保护膜和非晶硅膜上顺序形成n+硅膜和金属层。该方法还包括步骤：构图该非晶硅膜和n+硅膜以选择性留下与源和漏电极对应的区域，使用该沟道保护膜作为蚀刻停止层以选择性去除该n+硅膜和金属层的与该沟道区对应的区域从而从该n+硅膜形成源和漏区且还从该金属层形成源和漏电极。

公开(公告)号：CN101330023A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810128852.3

申请日：2008-06-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丰田基博 ,  荒井俊明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法、使用该薄膜晶体管的显示器。该薄膜晶体管的制造方法包括步骤：在绝缘基板上顺序形成栅电极、栅绝缘膜和非晶硅膜；仅在该非晶硅膜的将用作沟道区的区域中形成沟道保护膜；以及在该沟道保护膜和非晶硅膜上顺序形成n+硅膜和金属层。该方法还包括步骤：构图该非晶硅膜和n+硅膜以选择性留下与源和漏电极对应的区域，使用该沟道保护膜作为蚀刻停止层以选择性去除该n+硅膜和金属层的与该沟道区对应的区域从而从该n+硅膜形成源和漏区且还从该金属层形成源和漏电极。

公开(公告)号：CN101123260A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710138494.X

申请日：2007-08-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丰田基博 ,  荒井俊明

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/20 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1229 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种有源矩阵型显示装置及其制造方法，在该显示装置中像素电路使用多个薄膜晶体管形成，其中形成薄膜晶体管的沟道区域的薄半导体膜以不同的晶体状态制成。