公开(公告)号：CN101188267B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200710305145.2

申请日：2007-10-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 渡部义昭 ,  日野智公 ,  冈野展贤 ,  仓持尚叔 ,  菊地雄一郎 ,  大桥达男

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明公开一种制造发光装置的方法和一种发光装置。所述方法包括步骤：(A)在衬底上方顺序形成第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层；以及(B)暴露一部分所述第一化合物半导体层，在所述第一化合物半导体层的所述暴露部分上形成第一电极并且在所述第二化合物半导体层上形成第二电极，其中所述方法在所述步骤(B)之后还包括步骤：(C)利用SOG层至少覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的暴露部分、所述第二化合物半导体层的暴露部分、和一部分所述第二电极。在本发明中，小孔或裂纹不容易产生并且电极被有极好的台阶覆盖性的覆盖层(绝缘层)覆盖。

公开(公告)号：CN101188267A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710305145.2

申请日：2007-10-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 渡部义昭 ,  日野智公 ,  冈野展贤 ,  仓持尚叔 ,  菊地雄一郎 ,  大桥达男

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明公开一种制造发光装置的方法和一种发光装置。所述方法包括步骤：(A)在衬底上方顺序形成第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层；以及(B)暴露一部分所述第一化合物半导体层，在所述第一化合物半导体层的所述暴露部分上形成第一电极并且在所述第二化合物半导体层上形成第二电极，其中所述方法在所述步骤(B)之后还包括步骤：(C)利用SOG层至少覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的暴露部分、所述第二化合物半导体层的暴露部分、和一部分所述第二电极。在本发明中，小孔或裂纹不容易产生并且电极被有极好的台阶覆盖性的覆盖层(绝缘层)覆盖。