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公开(公告)号：CN101656210B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200910167372.2
申请日：2009-08-21
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/308 , H01S5/227 , H01S5/323 , H01S5/18 , H01S5/183 , H01L33/00 , H01L21/331 , H01L29/737 , H01L29/06 , H01L31/02 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了半导体发光元件及凸起部分。在以{100}面作为上表面的衬板上形成平行于衬板的 方向的凸起部分的凸起部分形成方法包括：(a)在衬板上形成平行于 方向的掩模层；(b)蚀刻衬板以形成凸起部分上层，其在对应于{110}面的截取面上的截面形状为下底比上底长且侧表面的倾斜角为θU的等腰梯形；以及(c)进一步蚀刻衬板以形成凸起部分下层，其在对应于{110}面的截取面上的截面形状为下底比上底长且侧表面的倾斜角为θD(其中θD≠θU)的等腰梯形。
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公开(公告)号：CN101569069B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200880001217.7
申请日：2008-05-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/227 , B82Y20/00 , H01L33/145 , H01S5/2201 , H01S5/2222 , H01S5/2223 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3072 , H01S5/3077 , H01S5/3211 , H01S5/3432
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：(A)发光单元(20)，由具有第一导电类型的第一化合物半导体层(21)(下面将“化合物半导体层”称作“层”)、有源层(23)和具有第二导电类型的第二层(22)组成；以及(B)电流阻挡层(40)，形成为与发光部分的侧面接触并由具有第一导电类型的第三层(43)和具有第二导电类型的第四层(44)组成。使第一层(21)具有第一导电类型的杂质由第一层(21)中的杂质的置换位置与第二层(22)中使第二层(22)具有第二导电类型的杂质的置换位置不相竞争的杂质组成。使第三层(43)具有第一导电类型的杂质由第三层(43)中的杂质的置换位置与第四层(44)中使第四层(44)具有第二导电类型的杂质的置换位置相竞争的杂质组成。在该半导体发光装置中，可以进一步减少电流阻挡层中的电流泄漏。
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公开(公告)号：CN101188267B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710305145.2
申请日：2007-10-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开一种制造发光装置的方法和一种发光装置。所述方法包括步骤：(A)在衬底上方顺序形成第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层；以及(B)暴露一部分所述第一化合物半导体层，在所述第一化合物半导体层的所述暴露部分上形成第一电极并且在所述第二化合物半导体层上形成第二电极，其中所述方法在所述步骤(B)之后还包括步骤：(C)利用SOG层至少覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的暴露部分、所述第二化合物半导体层的暴露部分、和一部分所述第二电极。在本发明中，小孔或裂纹不容易产生并且电极被有极好的台阶覆盖性的覆盖层(绝缘层)覆盖。
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公开(公告)号：CN1992359B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200610064047.X
申请日：2006-09-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2924/1305 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供在其一个主表面上具有多个突起部的异质衬底并且在异质衬底的每个凹入部上经过形成三角形截面的状态，生长第一氮化物基III-V族化合物半导体层，突起部由与异质衬底不同类型的材料制成，凹入部的底表面为三角形的底；在异质衬底上从第一氮化物基III-V族化合物半导体层横向生长第二氮化物基III-V族化合物半导体层；以及在第二氮化物基III-V族化合物半导体层上顺序生长第一导电型的第三氮化物基III-V族化合物半导体层、有源层和第二导电型的第四氮化物基III-V族化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN101569069A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200880001217.7
申请日：2008-05-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/227 , B82Y20/00 , H01L33/145 , H01S5/2201 , H01S5/2222 , H01S5/2223 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3072 , H01S5/3077 , H01S5/3211 , H01S5/3432
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：(A)发光单元(20)，由具有第一导电类型的第一化合物半导体层(21)(下面将“化合物半导体层”称作“层”)、有源层(23)和具有第二导电类型的第二层(22)组成；以及(B)电流阻挡层(40)，形成为与发光部分的侧面接触并由具有第一导电类型的第三层(43)和具有第二导电类型的第四层(44)组成。使第一层(21)具有第一导电类型的杂质由第一层(21)中的杂质的置换位置与第二层(22)中使第二层(22)具有第二导电类型的杂质的置换位置不相竞争的杂质组成。使第三层(43)具有第一导电类型的杂质由第三层(43)中的杂质的置换位置与第四层(44)中使第四层(44)具有第二导电类型的杂质的置换位置相竞争的杂质组成。在该半导体发光装置中，可以进一步减少电流阻挡层中的电流泄漏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1992359A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610064047.X
申请日：2006-09-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2924/1305 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供在其一个主表面上具有多个突起部的衬底并且在形成三角形截面的状态下在衬底的每个凹入部上生长第一氮化物基III－V族化合物半导体层，突起部由与衬底不同类型的材料制成，凹入部的底表面为三角形的底；在衬底上从第一氮化物基III－V族化合物半导体层横向生长第二氮化物基III－V族化合物半导体层；以及在第二氮化物基III－V族化合物半导体层上顺序生长第一导电型的第三氮化物基III－V族化合物半导体层、有源层和第二导电型的第四氮化物基III－V族化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN1316764C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200410033394.7
申请日：2004-04-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H04B10/1149 , H04B10/116
Abstract: 一种光信息发送、照明设备(2)被安装在提供一个普遍使用的、现有类型照明设备以施加光的地方。该照明设备(2)包括用于施加光的照明光源(4)和用于发送光信息的信息发送单元(5)。可能接收来自该照明设备(2)的信息的用户具有移动终端(3)，该移动终端接收从该信息发送单元(5)发送的光信息。由于现有类型的照明设备在我们的生活空间中被普遍使用。因此，光信息发送、照明设备(2)可把使用现有类型照明设备的每个地方变换成光通信空间。
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公开(公告)号：CN101656210A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910167372.2
申请日：2009-08-21
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/308 , H01S5/227 , H01S5/323 , H01S5/18 , H01S5/183 , H01L33/00 , H01L21/331 , H01L29/737 , H01L29/06 , H01L31/02 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了半导体发光元件及凸起部分。在以{100}面作为上表面的衬板上形成平行于衬板的 方向的凸起部分的凸起部分形成方法包括：(a)在衬板上形成平行于 方向的掩模层；(b)蚀刻衬板以形成凸起部分上层，其在对应于{110}面的截取面上的截面形状为下底比上底长且侧表面的倾斜角为θ U 的等腰梯形；以及(c)进一步蚀刻衬板以形成凸起部分下层，其在对应于{110}面的截取面上的截面形状为下底比上底长且侧表面的倾斜角为θ D (其中θ D ≠θ U )的等腰梯形。
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公开(公告)号：CN101188267A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710305145.2
申请日：2007-10-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开一种制造发光装置的方法和一种发光装置。所述方法包括步骤：(A)在衬底上方顺序形成第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层；以及(B)暴露一部分所述第一化合物半导体层，在所述第一化合物半导体层的所述暴露部分上形成第一电极并且在所述第二化合物半导体层上形成第二电极，其中所述方法在所述步骤(B)之后还包括步骤：(C)利用SOG层至少覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的暴露部分、所述第二化合物半导体层的暴露部分、和一部分所述第二电极。在本发明中，小孔或裂纹不容易产生并且电极被有极好的台阶覆盖性的覆盖层(绝缘层)覆盖。
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公开(公告)号：CN1536786A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN200410033394.7
申请日：2004-04-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H04B10/1149 , H04B10/116
Abstract: 一种光信息发送、照明设备2被安装在提供一个遍常使用的、现有类型照明设备以施加光的地方。该照明设备2包括用于施加光的照明光源4和用于发送光信息的信息发送单元5。可能接收来自该照明设备2的信息的用户具有移动终端3，该移动终端接收从该信息发送单元5发送的光信息。由于现有类型的照明设备在我们的生活空间中被普遍使用。因此，光信息发送、照明设备2可把使用现有类型照明设备的每个地方变换成光通信空间。
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