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发明公开
半导体薄膜及其生产方法和设备、及生产单晶薄膜的方法无效

公开(公告)号：CN1354495A

公开(公告)日：2002-06-19

申请号：CN01145068.1

申请日：2001-09-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 佐藤淳一 , 碓井节夫 , 坂本安弘 , 森芳文 , 中嶋英晴

IPC: H01L21/20 , H01L21/324

Abstract: 一种生产单晶薄膜的方法,包括的步骤有:在绝缘基片上形成非单晶薄膜;将非单晶薄膜进行第一次热处理,由此形成其中多晶晶粒排列成近似规则的图形的多晶薄膜;及将多晶薄膜进行第二次热处理,由此形成其中多晶晶粒互相结合的单晶薄膜。在本方法中,第一次热处理或第二次热处理二者之一可以通过激光束,优选从准分子激光器发射的激光束照射完成。用该生产方法形成的单晶薄膜具有比现有技术的多晶薄膜好很多的性能,并适合于生产具有稳定特性的器件。该单晶薄膜能够采用激光照射作为热处理在短时间内完成。

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