公开(公告)号：CN1157765C

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN01141282.8

申请日：2001-08-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 平贺透 ,  野口隆 ,  碓井节夫 ,  森芳文

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  C30B1/023 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026

Abstract: 公开一种晶体半导体材料的制造方法，能提高结晶度，以及利用该材料制造半导体器件的方法。在衬底上形成由硅(Si)制成的非晶膜，其间具有保护膜。然后，作为第一热处理，短波能量束照射非晶膜，从而形成由准单晶制成的晶体膜。接着，为了有选择地只使晶体膜的晶界和相邻区域熔融和再结晶，用另外的能量束照射晶体膜，作为第二热处理。结果，可以得到具有优异结晶度的晶体膜。

公开(公告)号：CN100524633C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610110899.8

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·派尔·古赛恩 ,  野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3105

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时，使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度大于等于0.1nm小于等于100nm的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时，使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。

公开(公告)号：CN1309087C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200410032829.6

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·派尔·古赛恩 ,  野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/792

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时，使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度大于等于0.1nm小于等于100nm的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时，使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。

公开(公告)号：CN1542976A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410032829.6

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·派尔·古赛恩 ,  野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/792

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时，使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度大于等于0.1nm小于等于100nm的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时，使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。

公开(公告)号：CN1341954A

公开(公告)日：2002-03-27

申请号：CN01141282.8

申请日：2001-08-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 平贺透 ,  野口隆 ,  碓井节夫 ,  森芳文

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  C30B1/023 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026

Abstract: 公开一种晶体半导体材料的制造方法,能提高结晶度,以及利用该材料制造半导体器件的方法。在衬底上形成由硅(Si)制成的非晶膜,其间具有保护膜,然后,作为第一热处理,短波能量束照射非晶膜,从而形成由准单晶制成的晶体膜,接着,为了有选择地只使晶体膜的晶界和相邻区域熔融和再结晶,用另外的能量束照射晶体膜,作为第二热处理,结果,可以得到具有优异结晶度的晶体膜。

公开(公告)号：CN1979769A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610110899.8

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·派尔·古赛恩 ,  野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3105

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时，使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度大于等于0.1nm小于等于100nm的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时，使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。

公开(公告)号：CN1256793A

公开(公告)日：2000-06-14

申请号：CN99800177.5

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/792

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时,使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度在0.1nm以上100nm以下的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时,使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷,存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄,存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此,可以长时间地保持信息。

公开(公告)号：CN1169225C

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN99800177.5

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文 ,  达拉姆·派尔·古赛恩

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/792

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时，使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度在0.1nm以上100nm以下的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时，使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。

公开(公告)号：CN1354495A

公开(公告)日：2002-06-19

申请号：CN01145068.1

申请日：2001-09-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 佐藤淳一 ,  碓井节夫 ,  坂本安弘 ,  森芳文 ,  中嶋英晴

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324

Abstract: 一种生产单晶薄膜的方法,包括的步骤有:在绝缘基片上形成非单晶薄膜;将非单晶薄膜进行第一次热处理,由此形成其中多晶晶粒排列成近似规则的图形的多晶薄膜;及将多晶薄膜进行第二次热处理,由此形成其中多晶晶粒互相结合的单晶薄膜。在本方法中,第一次热处理或第二次热处理二者之一可以通过激光束,优选从准分子激光器发射的激光束照射完成。用该生产方法形成的单晶薄膜具有比现有技术的多晶薄膜好很多的性能,并适合于生产具有稳定特性的器件。该单晶薄膜能够采用激光照射作为热处理在短时间内完成。