公开(公告)号：CN1165583A

公开(公告)日：1997-11-19

申请号：CN96191112.3

申请日：1996-08-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 中村光宏 ,  和田胜 ,  内堀千寻 ,  村上正纪

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/452 ,  H01L21/28575

Abstract: GaAs系等III-V族化合物半导体具有满足要求特性的欧姆电极的欧姆电极形成用叠层体及该欧姆电极。在n+型GaAs等III-V族化合物半导体衬底上，用溅射法等等依次形成非单晶In0.7Ga0.3As之类的非单晶半导体层，Ni之类的金属薄膜，WN之类的氮化金属薄膜以及W之类的高熔点金属薄膜，再用剥离等等构图以形成欧姆电极形成用叠层体，然后，用RTA法，在500～600℃，例如在550℃下进行1秒钟的热处理，使之形成欧姆电极。

公开(公告)号：CN1107339C

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN96191112.3

申请日：1996-08-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 中村光宏 ,  和田胜 ,  内堀千寻 ,  村上正纪

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/452 ,  H01L21/28575

Abstract: GaAs系等III-V族化合物半导体具有满足要求特性的欧姆电极的欧姆电极形成用叠层体及该欧姆电极。在n+型GaAs等III-V族化合物半导体衬底上，用溅射法等等依次形成非单晶In0.7Ga0.3As之类的非单晶半导体层，Ni之类的金属薄膜，WN之类的氮化金属薄膜以及W之类的高熔点金属薄膜，再用剥离等等构图以形成欧姆电极形成用叠层体，然后，用RTA法，在500～600℃，例如在550℃下进行1秒钟的热处理，使之形成欧姆电极。