中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

13 records (took 0.024 seconds)

    设备,信息处理设备,管理方法和信息处理方法
    1.
    发明授权
    设备,信息处理设备,管理方法和信息处理方法 失效

    公开(公告)号：CN100541508C

    公开(公告)日：2009-09-16

    申请号：CN200710102862.5

    申请日：2007-05-11

    Applicant: 索尼株式会社

    Inventor： 中村光宏 ,  中村敦 ,  川本洋志 ,  二神基诚 ,  足达诚一

    IPC: G06F21/00

    CPC classification number: G06F21/10 ,  G06F2221/0706

    Abstract: 本发明涉及一种设备，信息处理设备，管理方法和信息处理方法。更具体地，涉及一种用于将使用内容的许可提供给信息处理设备的管理设备，包括组管理单元，在每一组中注册至少一个信息处理设备并将专用于每一组的组密钥递送给信息处理设备；存储单元，存储与该组的组ID和组密钥相关联的信息处理设备的ID；许可发行单元，发行包括内容的使用条件和用于对加密内容进行解密的内容密钥的许可，通过组密钥加密内容的使用条件和内容密钥的至少任何一个；以及权限信息发行单元，将用于基于许可允许以规定的使用模式使用内容的权限信息发行给被允许的信息处理设备。

    半导体装置及半导体装置的制造方法
    2.
    发明授权
    半导体装置及半导体装置的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN100524816C

    公开(公告)日：2009-08-05

    申请号：CN200610006359.5

    申请日：2006-01-17

    Applicant: 索尼株式会社

    Inventor： 小野寺孝二 ,  中村光宏 ,  西田知矢

    IPC: H01L29/772 ,  H01L27/04 ,  H01L21/335 ,  H01L21/822

    CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/7785

    Abstract: 提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，通过在元件分离区上设置施加正电压的电极，可提供一种用作低畸变、低损耗的RF开关的场效应晶体管。此半导体装置(1)中，半导体基板(10)包含具有异质结的层叠的半导体层，在其由元件分离区(25)划分的元件形成区中形成有利用了异质结的场效应型晶体管(5)，上述元件分离区(25)由导入导电杂质的层构成，在上述元件分离区(25)上，在上述场效应晶体管(5)的周围的至少一部分上述元件分离区(25)表面上，形成有施加正电压的电极(28)。

    半导体装置及半导体装置的制造方法
    3.
    发明公开
    半导体装置及半导体装置的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1819265A

    公开(公告)日：2006-08-16

    申请号：CN200610006359.5

    申请日：2006-01-17

    Applicant: 索尼株式会社

    Inventor： 小野寺孝二 ,  中村光宏 ,  西田知矢

    IPC: H01L29/772 ,  H01L27/04 ,  H01L21/335 ,  H01L21/822

    CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/7785

    Abstract: 提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，通过在元件分离区上设置施加正电压的电极，可提供一种用作低畸变、低损耗的RF用开关的场效应晶体管。此半导体装置(1)，在半导体基板(10)上备有包含具有异质结的半导体层而层叠的半导体层，在其由元件分离区(25)划分的元件形成区中形成有利用了异质结的场效应型晶体管(5)，上述元件分离区(25)由导入导电杂质的层构成，在上述元件分离区(25)上，在上述场效应晶体管(5)的周围的至少一部分上述元件分离区(25)表面上，形成有施加正电压的电极(28)。

    半导体器件及其制造方法
    4.
    发明授权
    半导体器件及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1596464B

    公开(公告)日：2010-11-03

    申请号：CN03801672.9

    申请日：2003-08-29

    Applicant: 索尼株式会社

    Inventor： 中村光宏

    IPC: H01L21/337 ,  H01L29/808

    CPC classification number: H01L29/802 ,  H01L21/2258 ,  H01L29/66924

    Abstract: 提供了半导体器件，其中通过单次扩散使扩散层中的杂质扩散深度一致，并获得期望的阈值电压，从而提高产量，以及提供了制造这种半导体器件的方法。该半导体器件具有形成于衬底(12)上的沟道层(16)，形成于该沟道层(16)上表面上的扩散停止层(17)，形成于扩散停止层上表面上的扩散层(18)，以及掺杂区域(25)，其至少形成于扩散层(18)的一部分中以便与扩散停止层(17)相接触，且其中扩散有杂质。扩散停止层(17)的杂质扩散速率低于扩散层(18)的杂质扩散速率，因此停止杂质从扩散层(18)的扩散。

    半导体器件及其制造方法
    7.
    发明公开
    半导体器件及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1596464A

    公开(公告)日：2005-03-16

    申请号：CN03801672.9

    申请日：2003-08-29

    Applicant: 索尼株式会社

    Inventor： 中村光宏

    IPC: H01L21/337 ,  H01L29/808

    CPC classification number: H01L29/802 ,  H01L21/2258 ,  H01L29/66924

    Abstract: 提供了半导体器件，其中通过单次扩散使扩散层中的杂质扩散深度一致，并获得期望的阈值电压，从而提高产量，以及提供了制造这种半导体器件的方法。该半导体器件具有形成于衬底(12)上的沟道层(16)，形成于该沟道层(16)上表面上的扩散停止层(17)，形成于扩散停止层上表面上的扩散层(18)，以及掺杂区域(25)，其至少形成于扩散层(18)的一部分中以便与扩散停止层(17)相接触，且其中扩散有杂质。扩散停止层(17)的杂质扩散速率低于扩散层(18)的杂质扩散速率，因此停止杂质从扩散层(18)的扩散。

    信息处理设备和方法、程序、和记录介质
    8.
    发明公开
    信息处理设备和方法、程序、和记录介质 无效

    公开(公告)号：CN1746941A

    公开(公告)日：2006-03-15

    申请号：CN200510099225.8

    申请日：2005-09-07

    Applicant: 索尼株式会社

    Inventor： 中村光宏

    IPC: G09C1/00 ,  H04L9/32

    CPC classification number: G06F21/445 ,  G06F2221/2129

    Abstract: 本发明提供了一种信息处理设备，用于以有线或无线方式与另一信息处理设备进行通信，该设备包括：随机数产生部分，用于产生随机数；第一验证数据产生部分，用于基于所产生的随机数而产生与所述另一信息处理设备的验证有关的第一验证数据；验证数据发送部分，用于将第一验证数据发送到所述另一信息处理设备；验证数据接收部分，用于接收与所述另一信息处理设备的验证有关的第二验证数据；解密部分，用于利用与至少一种加密方法对应的至少一种解密方法而对第二验证数据进行解密；和验证部分，用于基于所解密的第二验证数据和所产生的随机数而检验所述另一信息处理设备是否是合法通信伙伴。

    用于形成欧姆电极的叠层体和欧姆电极
    9.
    发明公开
    用于形成欧姆电极的叠层体和欧姆电极 失效

    公开(公告)号：CN1165583A

    公开(公告)日：1997-11-19

    申请号：CN96191112.3

    申请日：1996-08-20

    Applicant: 索尼株式会社

    Inventor： 中村光宏 ,  和田胜 ,  内堀千寻 ,  村上正纪

    IPC: H01L21/28

    CPC classification number: H01L29/452 ,  H01L21/28575

    Abstract: GaAs系等III-V族化合物半导体具有满足要求特性的欧姆电极的欧姆电极形成用叠层体及该欧姆电极。在n+型GaAs等III-V族化合物半导体衬底上，用溅射法等等依次形成非单晶In0.7Ga0.3As之类的非单晶半导体层，Ni之类的金属薄膜，WN之类的氮化金属薄膜以及W之类的高熔点金属薄膜，再用剥离等等构图以形成欧姆电极形成用叠层体，然后，用RTA法，在500～600℃，例如在550℃下进行1秒钟的热处理，使之形成欧姆电极。

Patent Agency Ranking