公开(公告)号：CN1227287A

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：CN99101771.4

申请日：1999-02-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 冈本勉 ,  田附幸一 ,  久保田重夫

IPC: C30B15/14

CPC classification number: C30B15/00 ,  C30B29/10

Abstract: 所公开的是具有优良结晶性且内部质量均匀因而光学性质极为优良的单晶的一种生长方法，此方法使得能够改善成品率。本发明在于一种生长β型硼酸钡(β－BaB2O4)单晶的方法，此方法包含间接加热坩埚，以便利用β－BaB2O4籽晶9，从盛在坩埚中的不使用助熔剂的硼酸钡(BaB2O4)熔液，生长β－BaB2O4单晶21。

公开(公告)号：CN1291072C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN99101771.4

申请日：1999-02-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 冈本勉 ,  田附幸一 ,  久保田重夫

IPC: C30B15/14

CPC classification number: C30B15/00 ,  C30B29/10

Abstract: 所公开的是具有优良结晶性且内部质量均匀因而光学性质极为优良的单晶的一种生长方法，此方法使得能够改善成品率。本发明在于一种生长β型硼酸钡(β-BaB2O4)单晶的方法，此方法包含间接加热坩埚，以便利用β-BaB2O4籽晶9，从盛在坩埚中的不使用助熔剂的硼酸钡(BaB2O4)熔液，生长β-BaB2O4单晶21。