公开(公告)号：CN1227287A

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：CN99101771.4

申请日：1999-02-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 冈本勉 ,  田附幸一 ,  久保田重夫

IPC: C30B15/14

CPC classification number: C30B15/00 ,  C30B29/10

Abstract: 所公开的是具有优良结晶性且内部质量均匀因而光学性质极为优良的单晶的一种生长方法，此方法使得能够改善成品率。本发明在于一种生长β型硼酸钡(β－BaB2O4)单晶的方法，此方法包含间接加热坩埚，以便利用β－BaB2O4籽晶9，从盛在坩埚中的不使用助熔剂的硼酸钡(BaB2O4)熔液，生长β－BaB2O4单晶21。

公开(公告)号：CN101681815B

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200880016596.7

申请日：2008-04-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梅津畅彦 ,  月原浩一 ,  松延刚 ,  稻垣敬夫 ,  田附幸一 ,  堀田慎 ,  白井克弥

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02683 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285

Abstract: 在基板(1)上形成栅极绝缘膜(13)以覆盖栅极电极(11)，并且形成非晶硅膜(半导体薄膜)(15)。光吸收层(19)通过缓冲层(17)形成在非晶硅膜(15)的上部上。能量照射(Lh)从诸如半导体激光器的连续波振荡激光器施加给光吸收层(19)。根据以上构造，在仅氧化光吸收层(19)的表面侧时，非晶硅膜(15)通过在光吸收层(19)中能量照射(Lh)的热转换产生的热以及氧化反应的产生的热而结晶化以形成微晶硅膜(15a)。根据上述构造，提供了一种薄膜的结晶化方法，该方法可以在具有良好可控性的同时实现较简单的工艺和较低的成本。

公开(公告)号：CN1735962A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200380108327.0

申请日：2003-10-24

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 月原浩一 ,  田附幸一

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: B23K26/0608 ,  B23K26/0604 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明是一种用于激光退火装置的光照射装置，具备：将1条激光分割为n条激光的第1分割部(16)及第2分割部(20)；用来将从第1分光部(16)射出的第m(m为大于等于1小于等于n的整数)条激光与从第2分光部(20)射出的第m条光束合成的合成部(21)。第1分光部(16)与第2分割部(20)由互相相同的光学部件构成，并且配置于相互反转的位置。

公开(公告)号：CN1379459A

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：CN02102090.6

申请日：2002-01-22

Applicant: 索尼株式会社 ,  索尼精密技术株式会社

Inventor： 和田裕之 ,  田附幸一 ,  梅津畅彦 ,  矶村英二 ,  阿部哲夫 ,  服部正 ,  大岛朗文 ,  浦垣诚 ,  野口良行 ,  玉置洋之 ,  江部正孝 ,  石黑朋广 ,  加藤康行

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/00

CPC classification number: G01N21/956

Abstract: 以不接触方式自动客观地评估多晶硅薄膜状态的多晶硅薄膜评估装置包括可移动的工作台,其上面设置承载多晶硅薄膜的基片;用可见光观察的光学系统,对多晶硅薄膜的表面图像拍照,以实现自动聚焦;用紫外光观察的光学系统,用于获得多晶硅薄膜的表面图像,利用用可见光观察的光学系统进行自动聚焦;以及评估单元,从表面图像评估该多晶硅薄膜表面空间结构的线性和周期性,以根据该线性和周期性的评估结果来评估该多晶硅薄膜的状态。

公开(公告)号：CN101681815A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880016596.7

申请日：2008-04-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梅津畅彦 ,  月原浩一 ,  松延刚 ,  稻垣敬夫 ,  田附幸一 ,  堀田慎 ,  白井克弥

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02683 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285

Abstract: 在基板(1)上形成栅极绝缘膜(13)以覆盖栅极电极(11)，并且形成非晶硅膜(半导体薄膜)(15)。光吸收层(19)通过缓冲层(17)形成在非晶硅膜(15)的上部上。能量照射(Lh)从诸如半导体激光器的连续波振荡激光器施加给光吸收层(19)。根据以上构造，在仅氧化光吸收层(19)的表面侧时，非晶硅膜(15)通过在光吸收层(19)中能量照射(Lh)的热转换产生的热以及氧化反应的产生的热而结晶化以形成微晶硅膜(15a)。根据上述构造，提供了一种薄膜的结晶化方法，该方法可以在具有良好可控性的同时实现较简单的工艺和较低的成本。

公开(公告)号：CN1291072C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN99101771.4

申请日：1999-02-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 冈本勉 ,  田附幸一 ,  久保田重夫

IPC: C30B15/14

CPC classification number: C30B15/00 ,  C30B29/10

Abstract: 所公开的是具有优良结晶性且内部质量均匀因而光学性质极为优良的单晶的一种生长方法，此方法使得能够改善成品率。本发明在于一种生长β型硼酸钡(β-BaB2O4)单晶的方法，此方法包含间接加热坩埚，以便利用β-BaB2O4籽晶9，从盛在坩埚中的不使用助熔剂的硼酸钡(BaB2O4)熔液，生长β-BaB2O4单晶21。

公开(公告)号：CN1215543C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN02102090.6

申请日：2002-01-22

Applicant: 索尼株式会社 ,  索尼精密技术株式会社

Inventor： 和田裕之 ,  田附幸一 ,  梅津畅彦 ,  矶村英二 ,  阿部哲夫 ,  服部正 ,  大岛朗文 ,  浦垣诚 ,  野口良行 ,  玉置洋之 ,  江部正孝 ,  石黑朋广 ,  加藤康行

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/00 ,  G01N21/00 ,  B07C5/10

CPC classification number: G01N21/956

Abstract: 以不接触方式自动客观地评估多晶硅薄膜状态的多晶硅薄膜评估装置包括可移动的工作台，其上面设置承载多晶硅薄膜的基片；用可见光观察的光学系统，对多晶硅薄膜的表面图像拍照，以实现自动聚焦；用紫外光观察的光学系统，用于获得多晶硅薄膜的表面图像，利用用可见光观察的光学系统进行自动聚焦；以及控制器，从表面图像评估该多晶硅薄膜表面空间结构的线性和周期性，以根据该线性和周期性的评估结果来评估该多晶硅薄膜的状态。