公开(公告)号：CN1697195A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200410094244.7

申请日：2004-11-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 荒谷胜久 ,  前坂明弘 ,  河内山彰 ,  对马朋人

IPC: H01L27/24 ,  H01L27/10 ,  G11C11/00

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

Abstract: 一种存储器件10具有如下的结构，其中，存储器薄膜4夹在第一和第二电极2和6之间，该存储器薄膜4至少包含稀土元素，该存储器薄膜4或与该存储器薄膜接触的层3包含从Cu、Ag、Zn中选出的任一种元素，而且该存储器薄膜4或与该存储器薄膜接触的层3包含从Te、S、Se中选出的任一种元素。该存储器件能方便稳定地记录并读出信息，并且该存储器件能由相对简单的制造方法方便地制造。

公开(公告)号：CN1697195B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200410094244.7

申请日：2004-11-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 荒谷胜久 ,  前坂明弘 ,  河内山彰 ,  对马朋人

IPC: H01L27/24 ,  H01L27/10 ,  G11C11/00

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

Abstract: 一种存储器件10具有如下的结构，其中，存储器薄膜4夹在第一和第二电极2和6之间，该存储器薄膜4至少包含稀土元素，该存储器薄膜4或与该存储器薄膜接触的层3包含从Cu、Ag、Zn中选出的任一种元素，而且该存储器薄膜4或与该存储器薄膜接触的层3包含从Te、S、Se中选出的任一种元素。该存储器件能方便稳定地记录并读出信息，并且该存储器件能由相对简单的制造方法方便地制造。