公开(公告)号：CN101221807B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200810002257.5

申请日：2008-01-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 北川真 ,  大塚涉

IPC: G11C11/16 ,  G11C7/06 ,  G11C7/08

Abstract: 一种半导体存储器器件包括：存储器单元、读出线以及经由读出线连接到存储器单元的读出放大器电路。读出放大器电路包括差动读出放大器、上拉部分、读选通晶体管以及阈值校正部分。

公开(公告)号：CN101221807A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200810002257.5

申请日：2008-01-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 北川真 ,  大涉

IPC: G11C11/16 ,  G11C7/06 ,  G11C7/08

Abstract: 一种半导体存储器器件包括：存储器单元、读出线以及经由读出线连接到存储器单元的读出放大器电路。读出放大器电路包括差动读出放大器、上拉部分、读选通晶体管以及阈值校正部分。