公开(公告)号：CN1779851A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510114006.2

申请日：2005-10-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 长尾一 ,  八野英生 ,  相良敦 ,  森宽伸 ,  岡崎信道 ,  大塚涉 ,  对马朋人 ,  中岛智惠子

IPC: G11C11/15 ,  G11C13/00 ,  H01L27/10 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C13/00 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/79

Abstract: 一种存储器件，包括：存储元件，具有这样的特性：作为被施加大于或等于第一门限信号的电信号的结果，其电阻值从高状态向低状态改变，并且作为被施加大于或等于第二门限信号的电信号的结果，其电阻值从低状态向高状态改变，其中所述第二门限信号的极性与第一门限信号的极性不同；以及电路元件，与存储元件串联，并且作为负荷，所述存储元件和电路元件形成存储单元，并且多个所述存储单元以矩阵排列，其中，在读取存储元件时的电路元件的电阻值与在写入或擦除存储元件时的电阻值不同。

公开(公告)号：CN100524510C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200510114006.2

申请日：2005-10-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 长尾一 ,  八野英生 ,  相良敦 ,  森宽伸 ,  岡崎信道 ,  大塚涉 ,  对马朋人 ,  中岛智惠子

IPC: G11C11/15 ,  G11C13/00 ,  H01L27/10 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C13/00 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/79

Abstract: 一种存储器件，包括：存储元件，具有这样的特性：作为被施加大于或等于第一门限信号的电信号的结果，其电阻值从高状态向低状态改变，并且作为被施加大于或等于第二门限信号的电信号的结果，其电阻值从低状态向高状态改变，其中所述第二门限信号的极性与第一门限信号的极性不同；以及电路元件，与存储元件串联，并且作为负荷，所述存储元件和电路元件形成存储单元，并且多个所述存储单元以矩阵排列，其中，在读取存储元件时的电路元件的电阻值与在写入或擦除存储元件时的电阻值不同。

公开(公告)号：CN100502011C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200580024194.8

申请日：2005-07-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 荒谷胜久 ,  对马朋人 ,  成泽浩亮 ,  大塚涉 ,  八野英生

IPC: H01L27/10

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/141 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/148 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1675

Abstract: 提供了一种其构造能够容易以高密度制造的存储元件。该存储元件包括两个电极(1、4)之间的记录层(2、3)，且向两个电极(1、4)施加不同极性的电势，从而由电阻变化元件(10)构造存储单元，用于可逆地改变记录层(2、3)的电阻值。在多个相邻的存储单元中，至少一部分构成电阻变化元件(10)的记录层的层(2、3)是由相同层共同形成的。

公开(公告)号：CN101221807B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200810002257.5

申请日：2008-01-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 北川真 ,  大塚涉

IPC: G11C11/16 ,  G11C7/06 ,  G11C7/08

Abstract: 一种半导体存储器器件包括：存储器单元、读出线以及经由读出线连接到存储器单元的读出放大器电路。读出放大器电路包括差动读出放大器、上拉部分、读选通晶体管以及阈值校正部分。

公开(公告)号：CN100481254C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200510107643.7

申请日：2005-09-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 八野英生 ,  冈崎信道 ,  大塚涉 ,  对马朋人 ,  相良敦 ,  中岛智惠子 ,  森宽伸 ,  长尾一

IPC: G11C11/34 ,  G11C13/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C13/02 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/79

Abstract: 一种存储装置，包括存储器件，所述存储器件每个都具有存储元件，所述存储元件具有如下特性：不低于第一阈值信号的电信号的施加，允许存储元件从高电阻值状态转换到低电阻值状，以及不低于第二阈值信号的电信号的施加，允许存储元件从低电阻值状态转换到高电阻值状态，所述第二阈值信号具有与第一阈值信号不同的极性；所述存储器件每个都具有电路元件，与存储元件串联以作为负载，其中，存储器件以矩阵排列，且每个存储器件的端子之一与公共线连接；并且其中向公共线施加在电源电势和接地电势之间的中间电势。

公开(公告)号：CN1989619A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200580024194.8

申请日：2005-07-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 荒谷胜久 ,  对马朋人 ,  成泽浩亮 ,  大塚涉 ,  八野英生

IPC: H01L27/10

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/141 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/148 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1675

Abstract: 提供了一种其构造能够容易以高密度制造的存储元件。该存储元件包括两个电极(1、4)之间的记录层(2、3)，且向两个电极(1、4)施加不同极性的电势，从而由电阻变化元件(10)构造存储单元，用于可逆地改变记录层(2、3)的电阻值。在多个相邻的存储单元中，至少一部分构成电阻变化元件(10)的记录层的层(2、3)是由相同层共同形成的。

公开(公告)号：CN1770319A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510107643.7

申请日：2005-09-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 八野英生 ,  冈崎信道 ,  大塚涉 ,  对马朋人 ,  相良敦 ,  中岛智惠子 ,  森宽伸 ,  长尾一

IPC: G11C11/34 ,  G11C13/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C13/02 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/79

Abstract: 一种存储装置，包括存储器件，所述存储器件每个都具有存储元件，所述存储元件具有如下特性：不低于第一阈值信号的电信号的施加，允许存储元件从高电阻值状态转换到低电阻值状态，以及不低于第二阈值信号的电信号的施加，允许存储元件从低电阻值状态转换到高电阻值状态，所述第二阈值信号具有与第一阈值信号不同的极性；所述存储器件每个都具有电路元件，与存储元件串联以作为负载，其中，存储器件以矩阵排列，且每个存储器件的端子之一与公共线连接；并且其中向公共线施加在电源电势和接地电势之间的中间电势。