公开(公告)号：CN100538874C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN03806891.5

申请日：2003-02-07

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 森山胜利 ,  森宽伸 ,  塚崎久畅

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/005 ,  G11C14/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够高速执行写入操作和读出操作的复合存储电路，由此来提供一种能够实现瞬时接通和瞬时关机功能的半导体装置。复合存储电路是由并联连接的易失性存储电路和非易失性存储电路构成的，并且在非易失性存储电路中存储的信息和易失性存储电路中存储的信息相同。另外，随着对易失性存储电路的供电下降，易失性存储电路中的存储信息被写入非易失性存储电路。在电源故障或供电下降之后恢复供电时再从非易失性存储电路将存储信息送回易失性存储电路。还有一种由所述复合存储电路组成的半导体装置。

公开(公告)号：CN1643614A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03806891.5

申请日：2003-02-07

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 森山胜利 ,  森宽伸 ,  塚崎久畅

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/005 ,  G11C14/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够高速执行写入操作和读出操作的复合存储电路，由此来提供一种能够实现瞬时接通和瞬时关机功能的半导体装置。复合存储电路是由并联连接的易失性存储电路和非易失性存储电路构成的，并且在非易失性存储电路中存储的信息和易失性存储电路中存储的信息相同。另外，随着对易失性存储电路的供电下降，易失性存储电路中的存储信息被写入非易失性存储电路。在电源故障或供电下降之后恢复供电时再从非易失性存储电路将存储信息送回易失性存储电路。还有一种由所述复合存储电路组成的半导体装置。

公开(公告)号：CN1643613A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03806404.9

申请日：2003-03-17

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 森山胜利 ,  森宽伸 ,  塚崎久畅

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C7/02 ,  G11C7/1006 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/22 ,  G11C2207/2263

Abstract: 本发明的目的是在用于存储数据的数据存储电路中，提供功率节省的数据存储电路和在该数据存储电路中的数据写入方法、以及数据存储设备。因此，在本发明中，在执行向存储元件M写入新数据之前，执行读出存储于存储元件M中的现存数据，以比较现存数据与新数据。该数据存储电路配置成以便于在现存数据与新数据彼此相同的情况下，不执行向存储元件M写入，而在现存数据与新数据彼此不同的情况下，执行向存储元件M写入新数据。该数据存储电路形成在半导体衬底上以具有数据存储设备。