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公开(公告)号:CN102201423B
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201110118902.1
申请日:2008-11-28
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 工藤义治
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/3745 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置和相机,该固态成像装置包括排列的多个像素,每个像素均包括光电转换元件、包括转移晶体管的像素晶体管和浮动扩散区,其中,转移晶体管的转移栅极被形成为在浮动扩散区侧的沟道宽度大于在光电转换元件侧的沟道宽度。其中,在所述浮动扩散区中的所述高杂质浓度区用作接触区。
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公开(公告)号:CN101494233A
公开(公告)日:2009-07-29
申请号:CN200910000983.8
申请日:2009-01-23
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768
Abstract: 一种固态摄像装置及其制造方法,该固态摄像装置包括:光接收像素部,其形成于半导体基板上;黑电平基准像素部,其形成于半导体基板上;以及多层布线部,其设置于半导体基板上方。多层布线部包括形成于半导体基板上方的绝缘层以及在绝缘层中形成为多层的金属布线层。多层布线部具有:第一遮光膜,其形成于作为黑电平基准像素部上方的金属布线层之一的第一金属布线层的第一金属布线之间的区域的上方;以及第二遮光膜,其与第一遮光膜连接并由第一金属布线层上方的第二金属布线层形成。所述固态摄像装置可以在保持高遮光性能的同时减小布线层的厚度,并缩短聚光距离。
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公开(公告)号:CN101452942A
公开(公告)日:2009-06-10
申请号:CN200810180249.X
申请日:2008-11-28
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 工藤义治
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H04N5/3745 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置和相机,该固态成像装置包括排列的多个像素,每个像素均包括光电转换元件、包括转移晶体管的像素晶体管和浮动扩散区,其中,转移晶体管的转移栅极被形成为在浮动扩散区侧的沟道宽度大于在光电转换元件侧的沟道宽度。
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公开(公告)号:CN104009053B
公开(公告)日:2018-08-28
申请号:CN201410185344.4
申请日:2009-01-23
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 一种固态摄像装置及其制造方法,该固态摄像装置包括:光接收像素部,其形成于半导体基板上;黑电平基准像素部,其形成于半导体基板上;以及多层布线部,其设置于半导体基板上方。多层布线部包括形成于半导体基板上方的绝缘层以及在绝缘层中形成为多层的金属布线层。多层布线部具有:第一遮光膜,其形成于作为黑电平基准像素部上方的金属布线层之一的第一金属布线层的第一金属布线之间的区域的上方;以及第二遮光膜,其与第一遮光膜连接并由第一金属布线层上方的第二金属布线层形成。所述固态摄像装置可以在保持高遮光性能的同时减小布线层的厚度,并缩短聚光距离。
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公开(公告)号:CN101777566B
公开(公告)日:2013-09-18
申请号:CN201010118332.1
申请日:2007-10-15
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 工藤义治
IPC: H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14641 , H04N5/3696 , H04N5/3741
Abstract: 一种固态成像器件,包括:组成向扫描方向倾斜的斜栅格阵列的多个像素,其包括用于将入射光量转变为电信号的光电转换单元;以及用于将从所述光电转换单元读出的信号电荷转变为电压的电荷到电压转换单元,所述光电转换单元被布置在所述多个像素的沿对角线方向彼此相邻的两个像素之间;其中,所述电荷到电压转换单元由所述两个像素共享;其中,一组晶体管群被布置在共享块中,该共享块由以下结构构成:由沿对角线彼此相邻的两个像素组成的像素对,和与该像素对相邻的像素对,包括与每个像素对的所述电荷到电压转换单元连接的配线。
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公开(公告)号:CN100424883C
公开(公告)日:2008-10-08
申请号:CN200510089758.8
申请日:2005-08-09
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 工藤义治
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H04N5/37457 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14641 , H04N5/347
Abstract: 本发明提供了一种固态成像器件,在带有多像素共享结构的该固态成像器件中,可以不受每个像素的面积减小的影响,确保每个光电转换元件有足够的面积。将光电转换元件安置到每个像素的光学中心。因此可以将光像素中心相等地两维地间隔开。在固态成像器件中,其包括布置在两维阵列中的光电转换元件1和电压转换元件2,该电压转换元件2用于将通过对应的光电转换元件1的光电转换而产生的电荷转换为电压,在两维阵列中的两个对角相邻的光电转换元件1之间布置一个电压转换元件2,从而在两个光电转换元件1之间共享一个电压转换元件2。
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公开(公告)号:CN102307281B
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201110259909.5
申请日:2009-05-27
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H04N5/3745
CPC classification number: H04N5/37457 , H04N5/3742 , H04N5/37452 , H04N5/37455 , H04N5/3765 , H04N5/378 , H04N5/63
Abstract: 本发明公开了固体摄像器件、固体摄像器件的驱动方法和电子装置所述固体摄像器件包括光电转换部、多条信号线、驱动电路和终端电路所述光电转换部将入射光光电转换成信号电荷并累积该信号电荷,所述多条信号线包括被输入有传输信号的传输信号线,该传输信号用于将累积在光电转换部中的信号电荷读出至浮动扩散区域,所述驱动电路将多个期望信号分别输入给包括该传输信号线的多条信号线,所述终端电路与所述传输信号线的连接有所述驱动电路的那一侧的相反侧连接,并且在将多个期望信号中的一个期望信号输入给多条信号线中的所述传输信号线的相邻信号线之前,所述终端电路已被输入有用于使所述传输信号线保持在一定电压的控制信号。
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公开(公告)号:CN101777566A
公开(公告)日:2010-07-14
申请号:CN201010118332.1
申请日:2007-10-15
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 工藤义治
IPC: H01L27/146 , H04N3/15 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14641 , H04N5/3696 , H04N5/3741
Abstract: 一种固态成像器件,包括:组成向扫描方向倾斜的斜栅格阵列的多个像素,其包括用于将入射光量转变为电信号的光电转换单元;以及用于将从所述光电转换单元读出的信号电荷转变为电压的电荷到电压转换单元,所述光电转换单元被布置在所述多个像素的沿对角线方向彼此相邻的两个像素之间;其中,所述电荷到电压转换单元由所述两个像素共享;其中,一组晶体管群被布置在共享块中,该共享块由以下结构构成:由沿对角线彼此相邻的两个像素组成的像素对,和与该像素对相邻的像素对,包括与每个像素对的所述电荷到电压转换单元连接的配线。
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公开(公告)号:CN104009053A
公开(公告)日:2014-08-27
申请号:CN201410185344.4
申请日:2009-01-23
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 一种固态摄像装置及其制造方法,该固态摄像装置包括:光接收像素部,其形成于半导体基板上;黑电平基准像素部,其形成于半导体基板上;以及多层布线部,其设置于半导体基板上方。多层布线部包括形成于半导体基板上方的绝缘层以及在绝缘层中形成为多层的金属布线层。多层布线部具有:第一遮光膜,其形成于作为黑电平基准像素部上方的金属布线层之一的第一金属布线层的第一金属布线之间的区域的上方;以及第二遮光膜,其与第一遮光膜连接并由第一金属布线层上方的第二金属布线层形成。所述固态摄像装置可以在保持高遮光性能的同时减小布线层的厚度,并缩短聚光距离。
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公开(公告)号:CN102201423A
公开(公告)日:2011-09-28
申请号:CN201110118902.1
申请日:2008-11-28
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 工藤义治
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/3745 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置和相机,该固态成像装置包括排列的多个像素,每个像素均包括光电转换元件、包括转移晶体管的像素晶体管和浮动扩散区,其中,转移晶体管的转移栅极被形成为在浮动扩散区侧的沟道宽度大于在光电转换元件侧的沟道宽度。其中,在所述浮动扩散区中的所述高杂质浓度区用作接触区。
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