公开(公告)号：CN100392858C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN03800961.7

申请日：2003-05-14

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 永野隆史 ,  森田靖

IPC: H01L27/088

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/092 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提出一种半导体装置、其制造方法以及提出一种装配有这样半导体装置的电子设备，可制成CMOS型固态成像装置，在单个半导体芯片中集成由不具有难熔金属的金属硅化物层的LDD结构的MOS晶体管形成的成像区、DRAM单元的区域等等。依照本发明，如下构造半导体装置：使用具有多层的绝缘膜；在形成有金属硅化物层的区域和未形成金属硅化物层的区域中，通过回刻蚀多层或单层绝缘膜形成在栅电极上的侧壁；在其表面被涂覆的下层绝缘膜上形成由上层绝缘膜构成的侧壁，或保持多层的绝缘膜不变。

公开(公告)号：CN1552100A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN03800961.7

申请日：2003-05-14

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 永野隆史 ,  森田靖

IPC: H01L27/088

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/092 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提出一种半导体装置、其制造方法以及提出一种装配有这样半导体装置的电子设备，可制成CMOS型固态成像装置，在单个半导体芯片中集成由不具有难熔金属的金属硅化物层的LDD结构的MOS晶体管形成的成像区、DRAM单元的区域等等。依照本发明，如下构造半导体装置：使用具有多层的绝缘膜；在形成有金属硅化物层的区域和未形成金属硅化物层的区域中，通过回刻蚀多层或单层绝缘膜形成在栅电极上的侧壁；在其表面被涂覆的下层绝缘膜上形成由上层绝缘膜构成的侧壁，或保持多层的绝缘膜不变。