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公开(公告)号：CN1552100A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN03800961.7
申请日：2003-05-14
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/088
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L21/82385 , H01L21/823864 , H01L27/092 , H01L27/10873 , H01L27/10894 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提出一种半导体装置、其制造方法以及提出一种装配有这样半导体装置的电子设备，可制成CMOS型固态成像装置，在单个半导体芯片中集成由不具有难熔金属的金属硅化物层的LDD结构的MOS晶体管形成的成像区、DRAM单元的区域等等。依照本发明，如下构造半导体装置：使用具有多层的绝缘膜；在形成有金属硅化物层的区域和未形成金属硅化物层的区域中，通过回刻蚀多层或单层绝缘膜形成在栅电极上的侧壁；在其表面被涂覆的下层绝缘膜上形成由上层绝缘膜构成的侧壁，或保持多层的绝缘膜不变。
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公开(公告)号：CN100392858C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN03800961.7
申请日：2003-05-14
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/088
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L21/82385 , H01L21/823864 , H01L27/092 , H01L27/10873 , H01L27/10894 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提出一种半导体装置、其制造方法以及提出一种装配有这样半导体装置的电子设备，可制成CMOS型固态成像装置，在单个半导体芯片中集成由不具有难熔金属的金属硅化物层的LDD结构的MOS晶体管形成的成像区、DRAM单元的区域等等。依照本发明，如下构造半导体装置：使用具有多层的绝缘膜；在形成有金属硅化物层的区域和未形成金属硅化物层的区域中，通过回刻蚀多层或单层绝缘膜形成在栅电极上的侧壁；在其表面被涂覆的下层绝缘膜上形成由上层绝缘膜构成的侧壁，或保持多层的绝缘膜不变。
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公开(公告)号：CN101556964B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200910117896.0
申请日：2009-04-09
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种固体摄像器件，其包括像素部、周边电路部、以浅沟槽隔离结构形成在所述周边电路部中的半导体基板上的第一隔离区域以及以浅沟槽隔离结构形成在所述像素部中的半导体基板上的第二隔离区域。所述第二隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分比所述第一隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分浅，且所述第二隔离区域的顶面的高度等于所述第一隔离区域的顶面的高度。本发明还公开了该固体摄像器件的制造方法以及设有该固体摄像器件的电子装置。本发明可以实现处理步骤的减少以及包括灵敏度的像素特性的改善。
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公开(公告)号：CN101556964A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910117896.0
申请日：2009-04-09
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H01L21/762 , H04N5/335
Abstract: 本发明公开了一种固体摄像器件，其包括像素部、周边电路部、以浅沟槽隔离结构形成在所述周边电路部中的半导体基板上的第一隔离区域以及以浅沟槽隔离结构形成在所述像素部中的半导体基板上的第二隔离区域。所述第二隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分比所述第一隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分浅，且所述第二隔离区域的顶面的高度等于所述第一隔离区域的顶面的高度。本发明还公开了该固体摄像器件的制造方法以及设有该固体摄像器件的电子装置。本发明可以实现处理步骤的减少以及包括灵敏度的像素特性的改善。
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