公开(公告)号：CN101436659A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810176473.1

申请日：2008-11-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 相马正典 ,  川濑贤一 ,  井原将之 ,  川岛敦道 ,  泉谷和美

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/36 ,  H01M4/62 ,  H01M4/04 ,  H01M10/36 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/621 ,  H01M4/1315 ,  H01M4/13915 ,  H01M4/364 ,  H01M4/525 ,  H01M4/5815 ,  H01M4/582 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/622 ,  H01M4/623 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/028

Abstract: 本发明公开了一种用于锂离子二次电池的正极、制造该正极的方法、以及采用该正极的锂离子二次电池，该正极包括正极混合物层以及集电体，该正极混合物层包括包含锂复合氧化物的正极活性物质、导电材料以及粘合剂。该正极混合物层包含包括硫(S)和/或磷(P)的化合物、用作主要粘合剂的第一聚合物、以及与第一聚合物不同的第二聚合物。

公开(公告)号：CN101436659B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN200810176473.1

申请日：2008-11-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 相马正典 ,  川濑贤一 ,  井原将之 ,  川岛敦道 ,  泉谷和美

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/36 ,  H01M4/62 ,  H01M4/04 ,  H01M10/36 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/621 ,  H01M4/1315 ,  H01M4/13915 ,  H01M4/364 ,  H01M4/525 ,  H01M4/5815 ,  H01M4/582 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/622 ,  H01M4/623 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/028

Abstract: 本发明公开了一种用于锂离子二次电池的正极、制造该正极的方法、以及采用该正极的锂离子二次电池，该正极包括正极混合物层以及集电体，该正极混合物层包括包含锂复合氧化物的正极活性物质、导电材料以及粘合剂。该正极混合物层包含包括硫(S)和/或磷(P)的化合物、用作主要粘合剂的第一聚合物、以及与第一聚合物不同的第二聚合物。

公开(公告)号：CN1622126A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410032844.0

申请日：2004-04-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 柴本悟郎 ,  石井修 ,  泉谷和美 ,  早坂浩二

IPC: G06K19/00

CPC classification number: G06K19/07749 ,  G06K19/07743 ,  G06K19/07769

Abstract: 本发明涉及一种用于制造IC卡的方法，包括以下步骤：形成天线引线和被构图的连接引线，在天线衬底的至少一侧上的护层上形成孔，用于把外部电极芯片安装在所述天线衬底上，把IC芯片安装在具有天线引线和被构图的连接引线的天线衬底上，把外部电极芯片安装在具有天线引线和被构图的连接引线的天线衬底上，以及把具有所述孔的所述护层连接在所述天线衬底上。