公开(公告)号：CN1274475A

公开(公告)日：2000-11-22

申请号：CN99801198.3

申请日：1999-06-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 熊谷静似 ,  本多顺一 ,  池田义人

IPC: H01L43/08 ,  G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁隧道器件,其中第一磁性层和第二磁性层通过隧道阻挡层层叠起来,且具有这样的区域,即所施加的使上述第二磁性层的电位低于第一磁性层的电压发生变化时磁电阻比的变化,比所施加的使第二磁性层的电位高于第一磁性层的电压发生变化时磁电阻比的变化小。通过施加使第二磁性电位低于第一磁性层的电压,可使该磁隧道器件的磁电阻比随电压的变化小,隧道电流稳定地流动。

公开(公告)号：CN1178968A

公开(公告)日：1998-04-15

申请号：CN97121393.3

申请日：1997-09-16

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 熊谷静似 ,  本多顺一 ,  藤泽宪克 ,  管野丘

IPC: G11B5/31

Abstract: 一种通过使磁阻逐渐接近磁隙而逐渐增大来改善电磁转换效率的薄膜型磁头,包括一对磁头半件,其具有:非磁性基片和在非磁性基片上形成的磁性金属膜以及通过薄膜形成处理在凹入部分形成的线圈,一对磁头半件经相应磁性金属膜之间形成的磁隙相互对着连接,凹入部分在连接至少一个上述的磁性金属膜和其它磁性金属膜而形成的表面上形成。其中,在连接一对非磁性基片的表面侧连接由磁性材料组成的辅助磁心,磁性金属膜与辅助磁心形成连接。

公开(公告)号：CN1166015C

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN99801198.3

申请日：1999-06-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 熊谷静似 ,  本多顺一 ,  池田义人

IPC: H01L43/08 ,  G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁隧道器件，其中第一磁性层和第二磁性层通过隧道阻挡层层叠起来，且具有这样的区域，即所施加的使上述第二磁性层的电位低于第一磁性层的电压发生变化时磁电阻比的变化，比所施加的使第二磁性层的电位高于第一磁性层的电压发生变化时磁电阻比的变化小。通过施加使第二磁性电位低于第一磁性层的电压，可使该磁隧道器件的磁电阻比随电压的变化小，隧道电流稳定地流动。