公开(公告)号：CN1337673A

公开(公告)日：2002-02-27

申请号：CN01121758.8

申请日：2001-07-06

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 中盐荣治 ,  尾上精二 ,  菅原淳一 ,  片仓亨

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  Y10T29/49041 ,  Y10T29/49043

Abstract: 一种磁隧道效应型磁头,包含:作为下屏蔽层24的第一软磁性导电层、在第一软磁性导电层上形成的作为下间隙层26的金属氧化物层25和第一非磁性导电层、在第一非磁性导电层上形成的作为磁隧道结元件27的磁隧道结层34、在磁隧道结层34上形成的作为上间隙层28的第二非磁性导电层以及在第二非磁性导电层上形成的作为上屏蔽层29的第二软磁性导电层。下间隙层26中的金属氧化物层25至少在磁隧道结层27的下面形成。

公开(公告)号：CN1251181C

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN01121758.8

申请日：2001-07-06

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 中盐荣治 ,  尾上精二 ,  菅原淳一 ,  片仓亨

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  Y10T29/49041 ,  Y10T29/49043

Abstract: 一种磁隧道效应型磁头，包含：作为下屏蔽层(24)的第一软磁性导电层、在第一软磁性导电层上形成的作为下间隙层(26)的金属氧化物层(25)和第一非磁性导电层、在第一非磁性导电层上形成的作为磁隧道结元件(27)的磁隧道结层(34)、在磁隧道结层(34)上形成的作为上间隙层(28)的第二非磁性导电层以及在第二非磁性导电层上形成的作为上屏蔽层(29)的第二软磁性导电层。下间隙层(26)中的金属氧化物层(25)至少在磁隧道结层(27)的下面形成。