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公开(公告)号：CN1831478B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200610074737.3
申请日：2006-02-28
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G01C19/5663
CPC classification number: B81B3/0067 , B81B2201/0285 , B81B2203/0118 , G01C19/5663 , G01P15/0802
Abstract: 本发明公开了一种振动陀螺传感器包括：支撑衬底，在该支撑衬底上形成具有多个焊接区的布线图案；以及安装在该支撑衬底的表面上的振动元件。该振动元件包括：具有安装表面的基底部分，在该安装表面上形成多个终端；以及振动器部件，在振动器部件以悬臂的方式从该基底部分的一侧整体地突出，并且具有与该基底部分的安装表面共面的面向衬底的表面。该振动器部件具有按顺序在该面向衬底的表面上形成的第一电极层、压电层和第二电极层。而且，在该振动器部件的基底端形成加强件，以便该振动器部件的截面面积向着基底部分逐渐增加。
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公开(公告)号：CN1251181C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN01121758.8
申请日：2001-07-06
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043
Abstract: 一种磁隧道效应型磁头，包含：作为下屏蔽层(24)的第一软磁性导电层、在第一软磁性导电层上形成的作为下间隙层(26)的金属氧化物层(25)和第一非磁性导电层、在第一非磁性导电层上形成的作为磁隧道结元件(27)的磁隧道结层(34)、在磁隧道结层(34)上形成的作为上间隙层(28)的第二非磁性导电层以及在第二非磁性导电层上形成的作为上屏蔽层(29)的第二软磁性导电层。下间隙层(26)中的金属氧化物层(25)至少在磁隧道结层(27)的下面形成。
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公开(公告)号：CN1837751A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610079363.4
申请日：2006-03-06
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G01C19/5663 , G01C19/5783
Abstract: 本发明公开了一种振动陀螺传感器。所述振动陀螺传感器包括支撑衬底，在该支撑衬底上形成具有多个焊接区的布线图案，以及安装在该支撑衬底的表面上的振动元件，其中至少两个振动元件被安装在该支撑衬底上，用于检测不同轴方向上的振动。
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公开(公告)号：CN1831478A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610074737.3
申请日：2006-02-28
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G01C19/56
CPC classification number: B81B3/0067 , B81B2201/0285 , B81B2203/0118 , G01C19/5663 , G01P15/0802
Abstract: 本发明公开了一种振动陀螺传感器包括：支撑衬底，在该支撑衬底上形成具有多个焊接区的布线图案；以及安装在该支撑衬底的表面上的振动元件。该振动元件包括：具有安装表面的基底部分，在该安装表面上形成多个终端；以及振动器部件，在振动器部件以悬臂的方式从该基底部分的一侧整体地突出，并且具有与该基底部分的安装表面共面的面向衬底的表面。该振动器部件具有按顺序在该面向衬底的表面上形成的第一电极层、压电层和第二电极层。而且，在该振动器部件的基底端形成加强件，以便该振动器部件的截面面积向着基底部分逐渐增加。
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公开(公告)号：CN1337673A
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：CN01121758.8
申请日：2001-07-06
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043
Abstract: 一种磁隧道效应型磁头,包含:作为下屏蔽层24的第一软磁性导电层、在第一软磁性导电层上形成的作为下间隙层26的金属氧化物层25和第一非磁性导电层、在第一非磁性导电层上形成的作为磁隧道结元件27的磁隧道结层34、在磁隧道结层34上形成的作为上间隙层28的第二非磁性导电层以及在第二非磁性导电层上形成的作为上屏蔽层29的第二软磁性导电层。下间隙层26中的金属氧化物层25至少在磁隧道结层27的下面形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102620727A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210111827.0
申请日：2006-03-06
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G01C19/5663
CPC classification number: G01C19/5663 , G01C19/5783
Abstract: 本发明公开了一种振动陀螺传感器。所述振动陀螺传感器包括支撑衬底，在该支撑衬底上形成具有多个焊接区的布线图案，以及安装在该支撑衬底的表面上的振动元件，其中至少两个振动元件被安装在该支撑衬底上，用于检测不同轴方向上的振动。
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公开(公告)号：CN1828224A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610073968.2
申请日：2006-03-06
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G01C19/56
CPC classification number: G01C19/5663 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明公开了一种包括振动陀螺传感器元件的振动陀螺传感器，该振动陀螺传感器元件包括悬臂振动器，该悬臂振动器在第一表面上包括压电膜、驱动电极和一对检测电极，以及在其上安装该振动陀螺传感器元件的支撑基底。将该振动陀螺传感器元件安装在该支撑基底上以使该悬臂振动器的第一表面面对该支撑基底。将除了该悬臂振动器的第一表面之外的区域界定为激光加工区域，在该激光加工区域中将形成用于调节该悬臂振动器的振动特性的凹陷。
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公开(公告)号：CN1251180C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN01121756.1
申请日：2001-07-06
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/40 , G11B2005/3996
Abstract: 在具有与导电间隙层(25)和(27)一起夹在一对磁屏蔽层(24)和(28)之间的磁隧道连接元件(26)的磁隧道效应型磁头(20)中，导电间隙层(25)和(27)由至少一层包含选自Ta、Ti、Cr、W、Mo、V、Nb和Zr的金属元素的非磁性金属层形成。所以，能改善磁头(20)的与磁记录介质相对的面。
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公开(公告)号：CN1837751B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200610079363.4
申请日：2006-03-06
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G01C19/5642 , G01C19/5663
CPC classification number: G01C19/5663 , G01C19/5783
Abstract: 本发明公开了一种振动陀螺传感器。所述振动陀螺传感器包括支撑衬底，在该支撑衬底上形成具有多个焊接区的布线图案，以及安装在该支撑衬底的表面上的振动元件，其中至少两个振动元件被安装在该支撑衬底上，用于检测不同轴方向上的振动。
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公开(公告)号：CN1828224B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200610073968.2
申请日：2006-03-06
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G01C19/56
CPC classification number: G01C19/5663 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明公开了一种包括振动陀螺传感器元件的振动陀螺传感器，该振动陀螺传感器元件包括悬臂振动器，该悬臂振动器在第一表面上包括压电膜、驱动电极和一对检测电极，以及在其上安装该振动陀螺传感器元件的支撑基底。将该振动陀螺传感器元件安装在该支撑基底上以使该悬臂振动器的第一表面面对该支撑基底。将除了该悬臂振动器的第一表面之外的区域界定为激光加工区域，在该激光加工区域中将形成用于调节该悬臂振动器的振动特性的凹陷。
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