外部共振器型半导体激光器

    公开(公告)号:CN100479277C

    公开(公告)日:2009-04-15

    申请号:CN200480035897.6

    申请日:2004-11-30

    Abstract: 本发明提供外部共振器型半导体激光器,其提供与常规的外部共振器型半导体激光器相比具有更大的输出和更优良的单模式特性。外部共振器型半导体激光器包括激光二极管(11)、窗玻璃(16)、光栅和透镜,并具有一些改进。第一种改进是,窗玻璃(16)相对于激光二极管(11)的光发射表面(19)倾斜预定的角度。第二种改进是,激光二极管(11)等的配置被调整使得S波被施加到光栅。第三种改进是,激光二极管(11)被配置为使得当输出功率为45mW或更低时抑制扭曲的产生。其它改进是,分别将激光二极管(11)的光发射表面的反射率、透镜的数值孔径、外部共振器长度和光栅的一阶光反射率设置为最佳值。

    全息记录/再生装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101359484A

    公开(公告)日:2009-02-04

    申请号:CN200810134907.1

    申请日:2008-07-31

    Inventor: 田中富士

    CPC classification number: G11B7/0065 G03H1/18 G03H1/265 G03H2001/186

    Abstract: 一种全息记录/再生装置,包括:空间调制器,其中形成参考光束区域和再生光束区域;以及控制器,被配置为控制参考光束区域的范围以及再生光束区域的范围。根据全息记录介质在记录时的温度,控制器将参考光束区域的范围设置为第一预定范围,从而将参考光束在全息记录介质上的入射角度范围设置为第一预定角度范围。根据全息记录介质再生所记录的数据时的温度,控制器将再生光束区域的范围设置为第二预定范围,从而将再生光束在全息记录介质上的入射角度范围设置为第二预定角度范围。

    复制全息记录介质制造方法与设备、复制原盘及制造设备

    公开(公告)号:CN101110227A

    公开(公告)日:2008-01-23

    申请号:CN200710136913.6

    申请日:2007-07-23

    Abstract: 本发明公开了一种复制全息记录介质的制造方法与设备及复制原盘与制造设备,该制造复制全息记录介质的设备包括:定位部分,构造成将复制原盘和复制全息记录介质设置在预定的相对位置;角选择板,设置在复制原盘和复制全息记录介质之间,该角选择板具有角选择膜,其透射率根据光束的入射角而变化;以及复制基准光束产生和发射部分,产生复制基准光束,并且以这样的入射角照射该复制基准光束,使得该复制基准光束透射通过该复制原盘记录层的预定区域,并且由角选择膜反射。

    全息记录/再生装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101359484B

    公开(公告)日:2012-11-07

    申请号:CN200810134907.1

    申请日:2008-07-31

    Inventor: 田中富士

    CPC classification number: G11B7/0065 G03H1/18 G03H1/265 G03H2001/186

    Abstract: 一种全息记录/再生装置,包括:空间调制器,其中形成参考光束区域和再生光束区域;以及控制器,被配置为控制参考光束区域的范围以及再生光束区域的范围。根据全息记录介质在记录时的温度,控制器将参考光束区域的范围设置为第一预定范围,从而将参考光束在全息记录介质上的入射角度范围设置为第一预定角度范围。根据全息记录介质再生所记录的数据时的温度,控制器将再生光束区域的范围设置为第二预定范围,从而将再生光束在全息记录介质上的入射角度范围设置为第二预定角度范围。

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