公开(公告)号：CN1225029C

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN01807883.4

申请日：2001-03-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田暁夫 ,  碓井节夫 ,  野本和正

IPC: H01L31/075

CPC classification number: H01L31/03682 ,  Y02E10/546

Abstract: 一种光能转换装置10，包含：形成在通用塑料衬底上的第一杂质掺杂的半导体层5，它是混有第一杂质的半导体材料层；形成在第一杂质掺杂的半导体层5上的光活性层6，它是含氢的非晶半导体材料层；和混有第二杂质并且形成在光活性半导体层6上的第二杂质掺杂的半导体层7。第二杂质掺杂的半导体层是氢浓度比光活性半导体层6的材料低的多晶半导体材料层。在光活性半导体层6和第二杂质掺杂的半导体层7之间的界面结构中，深度方向的平均晶粒粒径在从第二杂质掺杂的半导体层向衬底1前进的方向上逐步降低。通过控制第二杂质掺杂的半导体层7的氢浓度，显著降低了第二杂质掺杂的半导体层7中的悬挂键的数目，显示出较高的结晶度，提高了装置10的转换效率。

公开(公告)号：CN1422443A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN01807883.4

申请日：2001-03-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田暁夫 ,  碓井节夫 ,  野本和正

IPC: H01L31/075

CPC classification number: H01L31/03682 ,  Y02E10/546

Abstract: 一种光能转换装置10，包含：形成在衬底上的第一杂质掺杂的半导体层5，它是混有第一杂质的半导体材料层；形成在第一杂质掺杂的半导体层5上的光活性层6，它是含氢的非晶半导体材料层；和混有第二杂质并且形成在光活性半导体层6上的第二杂质掺杂的半导体层7。第二杂质掺杂的半导体层是氢浓度比光活性半导体层6的材料低的多晶半导体材料层。在光活性半导体层6和第二杂质掺杂的半导体层7之间的界面结构中，深度方向的平均晶粒粒径在从第二杂质掺杂的半导体层向衬底1前进的方向上逐步降低。通过控制第二杂质掺杂的半导体层7的氢浓度，显著降低了第二杂质掺杂的半导体层7中的悬挂键的数目，显示出较高的结晶度，提高了装置10的转换效率。