公开(公告)号：CN100376064C

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN03801074.7

申请日：2003-06-06

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 东条刚 ,  矢吹义文 ,  安斋信一 ,  日野智公 ,  后藤修 ,  藤本强 ,  松本治 ,  竹谷元伸 ,  大藤良夫

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/40

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73267 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4031

Abstract: 一种多光束型半导体激光器，其中在蓝宝石衬底或者类似衬底的一主表面上形成有具有激光器结构的氮化物系III-V族化合物半导体层，并且在所述氮化物系III-V族化合物半导体层上形成有多个阳极和阴极。一阳极被制成横跨一阴极，同时在它们之间存在一绝缘薄膜。另外一阳极被制成横跨另外一阴极，同时在它们之间也存在一绝缘薄膜。

公开(公告)号：CN1557042A

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN03801074.7

申请日：2003-06-06

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 东条刚 ,  矢吹义文 ,  安斋信一 ,  日野智公 ,  后藤修 ,  藤本强 ,  松本治 ,  竹谷元伸 ,  大藤良夫

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/40

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73267 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4031

Abstract: 一种多光束型半导体激光器，其中在蓝宝石衬底或者类似衬底的一主表面上形成有具有激光器结构的氮化物系III－V族化合物半导体层，并且在所述氮化物系III－V族化合物半导体层上形成有多个阳极和阴极。一阳极被制成横跨一阴极，同时在它们之间存在一绝缘薄膜。另外一阳极被制成横跨另外一阴极，同时在它们之间也存在一绝缘薄膜。