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公开(公告)号：CN100479282C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200580000925.5
申请日：2005-06-15
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S2301/185
Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件中激光束的纵横比得到改进从而接近于圆。在衬底(10)上，第一导电类型的第一覆层(11)、有源层(12)、以及第二导电类型的第二覆层(17)分层形成，该第二覆层(17)部分地具有作为电流集聚结构的脊形RD。在脊形部分的第二覆层具有这样的结构，该结构包括在接近所述有源层的一侧的高带隙的第一脊形层(15)和在远离所述有源层的一侧的低带隙的第二脊形层(16)。该半导体发光器件通过用外延生长在衬底上分层形成第一覆层、有源层、以及第二导电类型的第二覆层，然后将第二覆层的一部分剪裁成脊形来制造。形成第二覆层使得第一脊形层和第二脊形层被包括在将具有脊形的部分中。
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公开(公告)号：CN1933204A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610159296.7
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/0213 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S2301/173
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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公开(公告)号：CN100440556C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610159295.2
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III-V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III-V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III-V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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公开(公告)号：CN100440435C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610159297.1
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III-V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III-V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III-V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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公开(公告)号：CN1607661A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410086927.8
申请日：1999-09-03
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/02212 , B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01S5/0207 , H01S5/0224 , H01S5/02252 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/32341 , H01S5/34313 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S2304/12 , H01L2924/00014
Abstract: 制作在封装件中的导电安装板具有安置绝缘安装板的凹陷部分和突出部分。绝缘安装板在其表面上具有安置连线部分的绝缘板。半导体激光器安置在绝缘安装板和导电安装板上，其n侧电极与绝缘安装板接触，p侧电极与导电安装板接触。产生的热通过导电安装板被辐射，并用绝缘安装板防止n侧电极与p侧电极的短路。在变例中，半导体元件的p侧电极固定到导电安装板，n侧电极从导电安装板突出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1383240A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02121877.3
申请日：2002-04-03
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0425 , H01S5/2213
Abstract: 提供一种制造具有大的半值宽度和高的拐点电平的脊峰波导型半导体激光器的方法。首先,脊的振荡波长的有效折射率neff1和在脊的两侧的每一侧上的部分的振荡波长的有效折射率neff2之间的有效折射率差Δn表示为Δn =neff1－neff2,脊宽度表示为W。在这种假设下,在X－Y坐标上(X轴:W,Y轴:Δn)设置下列三个关系式的常数“a”、“b”、“c”和“d”。第一关系式表示为Δn a×W+b,这里“a”和“b”是确定拐点电平的常数。第二关系式表示为W≥c，这里“c”是脊形成时的最小脊宽度确定的常数。第三个关系式表示为Δn≥d,这里“d”是通过所需的半宽度值θpara确定的常数。因此以Δn和W满足上述三个关系式(1)、(2)和(3)的方式设置下列至少其中之一,即绝缘薄膜的种类和厚度、在绝缘薄膜上的电极薄膜的厚度、脊高度、以及上包层的位于脊的两侧的每一侧上的剩余层部分的厚度。
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公开(公告)号：CN1231533A
公开(公告)日：1999-10-13
申请号：CN99105611.6
申请日：1999-03-05
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L29/045 , H01L33/007 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0213 , H01S5/32341
Abstract: 半导体器件及其制造方法和所用的衬底。可保证在半导体层中制造出良好的可解理表面。半导体层2堆叠在蓝宝石衬底1上以形成激光器结构。沿应制造腔体边缘3的半导体层2,在台面部分12的相对两侧的位置上,将条形解理辅助槽4制造成平行于半导体层2的(11—20)取向表面延伸,并从解理辅助槽4将半导体层2和蓝宝石衬底1解理,以制造由半导体层2的可解理表面制成的腔体边缘3。
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公开(公告)号：CN1582520B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN02822141.9
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/0213 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S2301/173
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III-V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III-V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III-V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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公开(公告)号：CN101055972A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710103279.6
申请日：1999-09-03
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 制作在封装件中的导电安装板具有安置绝缘安装板的凹陷部分和突出部分。绝缘安装板在其表面上具有安置连线部分的绝缘板。半导体激光器安置在绝缘安装板和导电安装板上，其n侧电极与绝缘安装板接触，p侧电极与导电安装板接触。产生的热通过导电安装板被辐射，并用绝缘安装板防止n侧电极与p侧电极的短路。在变例中，半导体元件的p侧电极固定到导电安装板，n侧电极从导电安装板突出。
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公开(公告)号：CN1842947A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200580000925.5
申请日：2005-06-15
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S2301/185
Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件中激光束的纵横比得到改进从而接近于圆。在衬底(10)上，第一导电类型的第一覆层(11)、有源层(12)、以及第二导电类型的第二覆层(17)分层形成，该第二覆层(17)部分地具有作为电流集聚结构的脊形RD。在脊形部分的第二覆层具有这样的结构，该结构包括在接近所述有源层的一侧的高带隙的第一脊形层(15)和在远离所述有源层的一侧的低带隙的第二脊形层(16)。该半导体发光器件通过用外延生长在衬底上分层形成第一覆层、有源层、以及第二导电类型的第二覆层，然后将第二覆层的一部分剪裁成脊形来制造。形成第二覆层使得第一脊形层和第二脊形层被包括在将具有脊形的部分中。
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