公开(公告)号：CN100517662C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200710108106.3

申请日：2007-05-30

Applicant: 索尼株式会社 ,  索尼计算机娱乐公司

Inventor： 草野英俊 ,  矢泽和明

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/473 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/427 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，能够提高倒装片安装的半导体芯片的散热性。半导体装置(10)具有基板(20)、倒装片安装在基板(20)上的半导体芯片(30)、将半导体芯片(30)的周围密封的密封树脂层(40)、经由TIM层(80)接合的散热器(90)。进而，在形成于半导体芯片(30)的背面的密闭空间(95)中封入制冷剂(98)。

公开(公告)号：CN101652055A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200910166101.5

申请日：2009-08-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 桥本光生 ,  矢泽和明 ,  石田祐一 ,  良尊弘幸

IPC: H05K7/20 ,  H01L23/427 ,  G06F1/20

CPC classification number: H05K7/208 ,  F28D15/0233 ,  F28F2245/02 ,  F28F2245/04 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/4935 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种散热器、电子装置和散热器制造方法，该散热器包括蒸发部、第一冷凝器部、工作流体和第一流动路径。蒸发部配置在第一位置。第一冷凝器部配置在第二位置，该第二位置是比第一位置高且与第一位置分开的位置。工作流体在蒸发部中从液相蒸发为气相，且在第一冷凝器部中从气相冷凝为液相。第一流动路径由纳米材料制成、表面上具有疏水性，且使在第一冷凝位置中冷凝为液相的工作流体流动到蒸发部。

公开(公告)号：CN101083235A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710108106.3

申请日：2007-05-30

Applicant: 索尼株式会社 ,  索尼计算机娱乐公司

Inventor： 草野英俊 ,  矢泽和明

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/473 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/427 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，能够提高倒装片安装的半导体芯片的散热性。半导体装置(10)具有基板(20)、倒装片安装在基板(20)上的半导体芯片(30)、将半导体芯片(30)的周围密封的密封树脂层(40)、经由TIM层(80)接合的散热器(90)。进而，在形成于半导体芯片(30)的背面的密闭空间(95)中封入制冷剂(98)。

公开(公告)号：CN101738117B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200910226489.3

申请日：2009-11-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 桥本光生 ,  矢泽和明 ,  石田祐一 ,  良尊弘幸

IPC: F28D15/02 ,  B23P15/26 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L23/427 ,  F28D15/0233 ,  F28D15/0266 ,  F28D15/046 ,  F28F3/12 ,  F28F13/187 ,  F28F21/02 ,  F28F2245/02 ,  F28F2245/04 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种传热装置、电子设备和传热装置制造方法。根据本发明的实施例的该传热装置包括蒸发部分、流路、冷凝器部分和工作流体。蒸发部分由纳米材料制成，并且具有在表面上形成的V形槽。流路与蒸发部分连通。冷凝器部分通过流路与蒸发部分连通。工作流体在蒸发部分中从液相蒸发为气相，并且在冷凝器部分中从气相凝聚为液相。

公开(公告)号：CN101738117A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910226489.3

申请日：2009-11-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 桥本光生 ,  矢泽和明 ,  石田祐一 ,  良尊弘幸

IPC: F28D15/02 ,  B23P15/26 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L23/427 ,  F28D15/0233 ,  F28D15/0266 ,  F28D15/046 ,  F28F3/12 ,  F28F13/187 ,  F28F21/02 ,  F28F2245/02 ,  F28F2245/04 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种传热装置、电子设备和传热装置制造方法。根据本发明的实施例的该传热装置包括蒸发部分、流路、冷凝器部分和工作流体。蒸发部分由纳米材料制成，并且具有在表面上形成的V形槽。流路与蒸发部分连通。冷凝器部分通过流路与蒸发部分连通。工作流体在蒸发部分中从液相蒸发为气相，并且在冷凝器部分中从气相凝聚为液相。