公开(公告)号：CN1429382A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN01809414.7

申请日：2001-04-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 野口隆 ,  碓井節夫 ,  中嵨英晴

IPC: G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  G02F1/136 ,  H01L29/78 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明涉及平板显示器的制造方法，能以高可靠性制造像素区的TFT和扫描区的TFT，它包括以下步骤：在包含有像素区和驱动区的基片上形成非晶硅薄膜，通过激光束的照射从形成在驱动区的非晶硅薄膜中脱氢，而不照射形成在像素区的非晶硅薄膜，并且激光束的进一步照射，晶化形成在驱动区的非晶硅薄膜，从而将非晶硅薄膜变成多晶硅薄膜。

公开(公告)号：CN1185532C

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN01809414.7

申请日：2001-04-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 野口隆 ,  碓井節夫 ,  中嵨英晴

IPC: G02F1/136 ,  G09F9/30 ,  H01L29/78 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明涉及平板显示器的制造方法，能以高可靠性制造像素区的TFT和扫描区的TFT，它包括以下步骤：在包含有像素区和驱动区的基片上形成非晶硅薄膜，通过激光束的照射从形成在驱动区的非晶硅薄膜中脱氢，而不照射形成在像素区的非晶硅薄膜，并且激光束的进一步照射，晶化形成在驱动区的非晶硅薄膜，从而将非晶硅薄膜变成多晶硅薄膜。