公开(公告)号：CN100449889C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200380100273.3

申请日：2003-12-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 长沼香

IPC: H01S5/022

Abstract: 当制造激光二极管时，在激光二极管、基台或者散热器上不会形成球形焊料残渣。激光二极管(30)包括激光二极管设备(12)。将基台(16)焊接到激光二极管设备(12)的衬底侧上，两者之间为第一焊料层(14)。将散热器(20)焊接到基台(16)的背面侧，两者之间为第二焊料层(18)。沿着基台(16)与激光二极管设备(12)的结合区域的边部，形成了基台槽(32)和延伸到基台(16)边部的延伸槽(36)。在基台的焊接部分，在与基台槽(32)的成对角方向形成了网格状多个基台窄槽(38)，其宽度较小，厚度较薄，从而使得窄槽(38)之间彼此分离，并且基台窄槽(38)的至少一端与基台槽(32)接触。当对激光二极管设备(12)进行点焊时，则多余的焊料通过基台窄槽(38)流入基台槽(32)。基台槽(32)的是多余焊料的焊料池，而通过延伸槽(36)将多余的焊料排除出去。

公开(公告)号：CN1692535A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200380100273.3

申请日：2003-12-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 长沼香

IPC: H01S5/022

Abstract: 当制造激光二极管时，在激光二极管、基台或者散热器上不会形成球形焊料残渣。激光二极管(30)包括激光二极管设备(12)。将基台(16)焊接到激光二极管设备(12)的衬底侧上，两者之间为第一焊料层(14)。将散热器(20)焊接到基台(16)的背面侧，两者之间为第二焊料层(18)。沿着基台(16)与激光二极管设备(12)的结合区域的边部，形成了基台槽(32)和延伸到基台(16)边部的延伸槽(36)。在基台的焊接部分，在与基台槽(32)的成对角方向形成了网格状多个基台薄槽(38)，其宽度较小，厚度较薄，从而使得薄槽(38)之间彼此分离，并且基台薄槽(38)的至少一端与基台槽(32)接触。当对激光二极管设备(12)进行点焊时，则多余的焊料通过基台薄槽(38)流入基台槽(32)。基台槽(32)的是多余焊料的焊料池，而通过延伸槽(36)将多余的焊料排除出去。

公开(公告)号：CN1291793A

公开(公告)日：2001-04-18

申请号：CN00106907.1

申请日：2000-04-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小林俊雅 ,  长沼香

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L33/36 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/66522 ,  H01L33/007 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0016

Abstract: 制造半导体器件的方法,能够改善半导体层和电极间的粘附性和接触电阻。在利用淀积法等形成的绝缘层的整个表面上形成抗蚀膜,在其中提供对应于p侧电极图形的开口。在p侧接触层由绝缘层保护的同时,利用氧的光灰化处理去除抗蚀剂的残留物。用抗蚀膜作掩模,按自对准方式在绝缘层中形成开口并形成p侧电极。可抑制对p侧接触层的损伤。p侧电极可形成在p侧接触层的洁净表面上。