公开(公告)号：CN1291793A

公开(公告)日：2001-04-18

申请号：CN00106907.1

申请日：2000-04-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小林俊雅 ,  长沼香

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L33/36 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/66522 ,  H01L33/007 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0016

Abstract: 制造半导体器件的方法,能够改善半导体层和电极间的粘附性和接触电阻。在利用淀积法等形成的绝缘层的整个表面上形成抗蚀膜,在其中提供对应于p侧电极图形的开口。在p侧接触层由绝缘层保护的同时,利用氧的光灰化处理去除抗蚀剂的残留物。用抗蚀膜作掩模,按自对准方式在绝缘层中形成开口并形成p侧电极。可抑制对p侧接触层的损伤。p侧电极可形成在p侧接触层的洁净表面上。

公开(公告)号：CN1976075A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610160942.1

申请日：2006-12-01

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 渡部义昭 ,  日野智公 ,  小林俊雅 ,  成井启修

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L21/244 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件具有高反射率，并且在反光层和半导体层之间具有高电接触属性。该半导体发光器件是通过顺序层叠半导体层、基底层和反光层形成的。半导体层是通过顺序层叠缓冲层、GaN层、n型接触层、n型覆层、有源层、p型覆层和p型接触层形成的。基底层形成在p型接触层的表面上，并且是由具有Ag(银)的过渡金属制成的，厚度为1nm到10nm且包括1nm和10nm。反光层形成在基底层的表面上，并且是由具有预定材料的Ag制成的。

公开(公告)号：CN1203597C

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN02800544.9

申请日：2002-02-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口恭司 ,  小林高志 ,  小林俊雅 ,  喜岛悟 ,  富冈聪 ,  安斋信一 ,  东条刚

IPC: H01S5/22

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 氮基半导体激光器件(10)具有一种依次堆叠放置的第一接触层(14)，第一包覆层(16)，有源层(20)，第二包覆层(24)，第二接触层(26)和第二电极(30)的结构。第二包覆层(24)包括一个下层(24A)和上层(24B)，第一包覆层(14)，有源层(20)和第二包覆层的下层(24A)具有台面结构，第二包覆层的上层(24B)和第二接触层(26)具有脊形结构。在对应于台面结构的顶表面的第二包覆层的下层的一部分上形成绝缘层(40)，绝缘层(40)至少部分覆盖第二包覆层的上层(24B)的对侧面，另外，从绝缘层(40)的顶表面到第二电极(30)的顶表面上形成金属层(42)，金属层(42)具有和台面结构基本相同的宽度。

公开(公告)号：CN100541815C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN99105611.6

申请日：1999-03-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小林俊雅 ,  东条刚

IPC: H01L29/04 ,  H01L33/00 ,  H01S5/02

CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L29/045 ,  H01L33/007 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/32341

Abstract: 半导体器件及其制造方法和所用的衬底，可保证在半导体层中制造出良好的可解理表面。半导体层2堆叠在蓝宝石衬底1上以形成激光器结构。沿应制造腔体边缘3的半导体层2，在台面部分12的相对两侧的位置上，将条形解理辅助槽4制造成平行于半导体层2的(11-20)取向表面延伸，并从解理辅助槽4将半导体层2和蓝宝石衬底1解理，以制造由半导体层2的可解理表面制成的腔体边缘3。

公开(公告)号：CN1457539A

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN02800544.9

申请日：2002-02-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口恭司 ,  小林高志 ,  小林俊雅 ,  喜岛悟 ,  富冈聪 ,  安斋信一 ,  东条刚

IPC: H01S5/22

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 氮基半导体激光器件(10)具有一种依次堆叠放置的第一接触层(14)，第一包覆层(16)，有源层(20)，第二包覆层(24)，第二接触层(26)和第二电极(30)的结构。第二包覆层(24)包括一个下层(24A)和上层(24B)，第一包覆层(14)，有源层(20)和第二包覆层的下层(24A)具有台面结构，第二包覆层的上层(24B)和第二接触层(26)具有脊形结构。在对应于台面结构的顶表面的第二包覆层的下层的一部分上形成绝缘层(40)，绝缘层(40)至少部分覆盖第二包覆层的上层(24B)的对侧面，另外，从绝缘层(40)的顶表面到第二电极(30)的顶表面上形成金属层(42)，金属层(42)具有和台面结构基本相同的宽度。

公开(公告)号：CN1976076A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610160943.6

申请日：2006-12-01

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 渡部义昭 ,  日野智公 ,  小林俊雅 ,  成井启修

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件具有高反射率，并且在反光层和半导体层之间具有高电接触属性。该半导体发光器件是通过在透明衬底上顺序层叠半导体层、反光层和保护层形成的。半导体层是通过顺序层叠缓冲层、GaN层、n型接触层、n型覆层、有源层、p型覆层和p型接触层形成的。反光层是通过在以例如从100℃到小于400℃的温度加热衬底的同时在p型接触层的表面上沉积Ag合金形成的。在形成了半导体层、反光层和保护层后，半导体层、反光层和保护层在预定时间中被以比在加热衬底时的温度范围高的温度范围内的环境温度加热。

公开(公告)号：CN1231533A

公开(公告)日：1999-10-13

申请号：CN99105611.6

申请日：1999-03-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小林俊雅 ,  东条刚

IPC: H01S3/19 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L29/045 ,  H01L33/007 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/32341

Abstract: 半导体器件及其制造方法和所用的衬底。可保证在半导体层中制造出良好的可解理表面。半导体层2堆叠在蓝宝石衬底1上以形成激光器结构。沿应制造腔体边缘3的半导体层2,在台面部分12的相对两侧的位置上,将条形解理辅助槽4制造成平行于半导体层2的(11—20)取向表面延伸,并从解理辅助槽4将半导体层2和蓝宝石衬底1解理,以制造由半导体层2的可解理表面制成的腔体边缘3。