半导体装置、其制造方法及应用该半导体装置的显示装置

    公开(公告)号:CN101359647A

    公开(公告)日:2009-02-04

    申请号:CN200810135129.8

    申请日:2008-08-04

    Abstract: 本发明涉及一种半导体装置,用于制造该半导体装置的方法以及应用该半导体装置的显示装置。所述半导体装置包括n(这里符号n表示大于等于三的正整数)个以叠层形成于基板(201)上并且通过接触图形彼此连接的导电层(202、203和204)。其中形成有接触图形CPTN的主接触区域(MCNT201)包括n-1个连接区域(211和212),它们用于将n-1个导电层(202和203)分别连接至导电层(204)。在基板(201)上堆叠导电层(202和203)的层压过程的层叠方向上,导电层(203)设置在从几何上偏离导电层(202)的位置处,从而导电层(203)的端部(203T)面对接触图形(CPTN)的边缘的一部分。通过将导电层(204)填充接触图形,导电层(202和203)彼此电连接。本发明有利于减小像素显示区域部分的尺寸和/或缩小有效显示部分的外围部分所占的面积。

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