公开(公告)号：CN101359647A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810135129.8

申请日：2008-08-04

Applicant: 索尼株式会社 ,  索尼移动显示器株式会社

Inventor： 田中勉 ,  山田泰弘 ,  武田浩久

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，用于制造该半导体装置的方法以及应用该半导体装置的显示装置。所述半导体装置包括n(这里符号n表示大于等于三的正整数)个以叠层形成于基板(201)上并且通过接触图形彼此连接的导电层(202、203和204)。其中形成有接触图形CPTN的主接触区域(MCNT201)包括n－1个连接区域(211和212)，它们用于将n－1个导电层(202和203)分别连接至导电层(204)。在基板(201)上堆叠导电层(202和203)的层压过程的层叠方向上，导电层(203)设置在从几何上偏离导电层(202)的位置处，从而导电层(203)的端部(203T)面对接触图形(CPTN)的边缘的一部分。通过将导电层(204)填充接触图形，导电层(202和203)彼此电连接。本发明有利于减小像素显示区域部分的尺寸和/或缩小有效显示部分的外围部分所占的面积。

公开(公告)号：CN101447460A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810178424.1

申请日：2008-11-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 永泽耕一 ,  山口贵司 ,  尾崎靖尚 ,  金谷康弘 ,  武田浩久 ,  三上康男 ,  武藤佳史

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/78633 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1248

Abstract: 本发明提供一种制造电子装置的方法以及电子装置，该电子装置在设有薄膜晶体管的基板上设有抗蚀图。所述方法包括以下步骤：在基板上通过涂敷形成处于覆盖薄膜晶体管的状态的抗蚀膜，通过对抗蚀膜进行曝光和显影处理以形成抗蚀图，并在薄膜晶体管的沟道部分不会受到波长短于260nm的光的照射的情况下，在干燥气氛中以至少紫外光和可见光之一照射抗蚀图，其中，在以至少紫外光和可见光之一照射之后实施热硬化抗蚀图的步骤。使用所述方法可以避免在热硬化期间抗蚀材料回流，且抗蚀图的表面形状保持为通过曝光和显影被图形化后的形状。所述电子装置用所述方法形成，至少在P沟道型的薄膜晶体管的沟道部分上设有适合于隔断波长短于260nm的光的照射的遮光膜。

公开(公告)号：CN101447460B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200810178424.1

申请日：2008-11-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 永泽耕一 ,  山口贵司 ,  尾崎靖尚 ,  金谷康弘 ,  武田浩久 ,  三上康男 ,  武藤佳史

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/78633 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1248

Abstract: 本发明提供一种制造电子装置的方法以及电子装置，该电子装置在设有薄膜晶体管的基板上设有抗蚀图。所述方法包括以下步骤：在基板上通过涂敷形成处于覆盖薄膜晶体管的状态的抗蚀膜，通过对抗蚀膜进行曝光和显影处理以形成抗蚀图，并在薄膜晶体管的沟道部分不会受到波长短于260nm的光的照射的情况下，在干燥气氛中以至少紫外光和可见光之一照射抗蚀图，其中，在以至少紫外光和可见光之一照射之后实施热硬化抗蚀图的步骤。使用所述方法可以避免在热硬化期间抗蚀材料回流，且抗蚀图的表面形状保持为通过曝光和显影被图形化后的形状。所述电子装置用所述方法形成，至少在P沟道型的薄膜晶体管的沟道部分上设有适合于隔断波长短于260nm的光的照射的遮光膜。